The TaC Coated Epi Wafer Carrier by Semicera is engineered for superior performance in epitaxial processes. Its tantalum carbide coating offers exceptional durability and high-temperature stability, ensuring optimal wafer support and enhanced production efficiency. Semicera’s precision manufacturing guarantees consistent quality and reliability in semiconductor applications.
TaC coated epitaxial wafer carriers are usually used in the preparation of high-performance optoelectronic devices, power devices, sensors and other fields. This epitaxial wafer carrier refers to the deposition of Tac thin film on the substrate during the crystal growth process to form a wafer with specific structure and performance for subsequent device preparation.
Chemical vapor deposition (CVD) technology is usually used to prepare TaC coated epitaxial wafer carriers. By reacting metal organic precursors and carbon source gases at high temperature, a TaC film can be deposited on the surface of the crystal substrate. This film can have excellent electrical, optical and mechanical properties and is suitable for the preparation of various high-performance devices.
Semicera zapewnia specjalistyczne powłoki węglika tantalu (TAC) dla różnych elementów i nośników. Proces powlekania wiodącego półcesy umożliwia powłoki węgla tantalu (TAC) osiągnięcie wysokiej czystości, stabilności wysokiej temperatury i wysokiej tolerancji chemicznej, poprawa jakości produktu kryształów SIC/GAN i warstw EPI (Grafit pokryty podatnikiem TAC) oraz przedłużenie żywotności kluczowych elementów reaktora. Zastosowanie powłoki TAC TAC tantalu jest rozwiązanie problemu krawędzi i poprawa jakości wzrostu kryształów, a półcera, przełom rozwiązał technologię powlekania z węglika tantalu (CVD), osiągając międzynarodowy poziom zaawansowany.
Po latach rozwoju Semicera podbiła technologię CVD TAC ze wspólnymi wysiłkami działu badań i rozwoju. Wady są łatwe do wystąpienia w procesie wzrostu Wafle SIC, ale po użyciu Tac, różnica jest znacząca. Poniżej znajduje się porównanie płytek z TAC i bez, a także części Simicera dla wzrostu pojedynczego kryształu.
Co więcej, Semicera's Produkty pokryte TAC wykazują dłuższą żywotność i większy opór w wysokiej temperaturze w porównaniu z Powłoki sic. Pomiary laboratoryjne wykazały, że nasze Powłoki TAC może konsekwentnie wykonywać w temperaturach do 2300 stopni Celsjusza przez dłuższy czas. Poniżej znajdują się kilka przykładów naszych próbek:
