Porous tantalum carbide is mainly used for gas phase component filtration, adjusting local temperature gradient, guiding material flow direction, controlling leakage, etc. It can be used with another solid tantalum carbide (compact) or tantalum carbide coating from Semicera Technology to form local components with different flow conductance.
Semicera zapewnia specjalistyczne powłoki węglika tantalu (TAC) dla różnych elementów i nośników. Proces powlekania wiodącego półcesy umożliwia powłoki węgla tantalu (TAC) osiągnięcie wysokiej czystości, stabilności wysokiej temperatury i wysokiej tolerancji chemicznej, poprawa jakości produktu kryształów SIC/GAN i warstw EPI (Grafit pokryty podatnikiem TAC), and extending the life of key reactor components. The use of tantalum carbide TaC coating is to solve the edge problem and improve the quality of crystal growth, and Semicera has breakthrough solved the tantalum carbide coating technology (CVD), reaching the international advanced level.
Po latach rozwoju Semicera podbiła technologię CVD TAC ze wspólnymi wysiłkami działu badań i rozwoju. Wady są łatwe do wystąpienia w procesie wzrostu Wafle SIC, ale po użyciu Tac, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Semicera’ parts for single crystal growth
In addition, the service life of Semicera’s TaC coating products is longer and more resistant to high temperature than that of SiC coating. After a long time of laboratory measurement data, our TaC can work for a long time at a maximum of 2300 degrees Celsius. The following are some of our samples:
