10x10mm Nonpolar M-plane Aluminum Substrate– Ideal for advanced optoelectronic applications, offering superior crystalline quality and stability in a compact, high-precision format.
Semicera’s 10x10mm Nonpolar M-plane Aluminum Substrate is meticulously designed to meet the exacting requirements of advanced optoelectronic applications. This substrate features a nonpolar M-plane orientation, which is critical for reducing polarization effects in devices such as LEDs and laser diodes, leading to enhanced performance and efficiency.
The 10x10mm Nonpolar M-plane Aluminum Substrate is crafted with exceptional crystalline quality, ensuring minimal defect densities and superior structural integrity. This makes it an ideal choice for the epitaxial growth of high-quality III-nitride films, which are essential for the development of next-generation optoelectronic devices.
Semicera’s precision engineering ensures that each 10x10mm Nonpolar M-plane Aluminum Substrate offers consistent thickness and surface flatness, which are crucial for uniform film deposition and device fabrication. Additionally, the substrate’s compact size makes it suitable for both research and production environments, allowing for flexible use in a variety of applications. With its excellent thermal and chemical stability, this substrate provides a reliable foundation for the development of cutting-edge optoelectronic technologies.
|
Rzeczy |
Produkcja |
Badania |
Atrapa |
|
Parametry kryształów |
|||
|
Polityp |
4H |
||
|
Błąd orientacji powierzchni |
4±0.15° |
||
|
Parametry elektryczne |
|||
|
Dopant |
azot typu N. |
||
|
Oporność |
0,015-0,025OHM · cm |
||
|
Parametry mechaniczne |
|||
|
Średnica |
150,0 ± 0,2 mm |
||
|
Grubość |
350 ± 25 µm |
||
|
Pierwotna płaska orientacja |
[1-100]±5° |
||
|
Pierwotna płaska długość |
47,5 ± 1,5 mm |
||
|
Wtórne mieszkanie |
Nic |
||
|
TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
|
LTV |
≤3 μm (5 mm*5 mm) |
≤5 μm (5 mm*5 mm) |
≤10 μm (5 mm*5 mm) |
|
Ukłon |
-15 μm ~ 15 μm |
-35 μm ~ 35 μm |
-45 μm ~ 45 μm |
|
Osnowa |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
|
Chropowatość z przodu (SI-FACE) (AFM) |
RA ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm) |
||
|
Struktura |
|||
|
Gęstość mikropipe |
<1 ea/cm2 |
<10 ea/cm2 |
<15 ea/cm2 |
|
Zanieczyszczenia metalowe |
≤5E10atoms/cm2 |
Na |
|
|
BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
Na |
|
TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
Na |
|
Jakość z przodu |
|||
|
Przód |
Si |
||
|
Wykończenie powierzchni |
SI-FACE CMP |
||
|
Cząsteczki |
≤60ea/wafel (rozmiar ≥0,3 μm) |
Na |
|
|
Zadrapania |
≤5EA/mm. Kumulatywna długość ≤ -diameter |
Skumulowana długość ≤2*średnica |
Na |
|
Skórka pomarańczowa/doły/plamy/prążki/pęknięcia/zanieczyszczenie |
Nic |
Na |
|
|
Płyty krawędziowe/wkładki/złamanie/sześciokątne płyty |
Nic |
||
|
Obszary politypowe |
Nic |
Obszar skumulowany ≤20% |
Obszar skumulowany ≤30% |
|
Przednie oznaczenie lasera |
Nic |
||
|
Jakość wstecz |
|||
|
Wstecz |
CMP-FACE CMP |
||
|
Zadrapania |
≤5EA/mm, kumulatywna długość ≤2*średnica |
Na |
|
|
Wady tylne (chipsy krawędziowe/wentylatory) |
Nic |
||
|
Chropowatość pleców |
RA ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm) |
||
|
Oznaczenie lasera z tyłu |
1 mm (od górnej krawędzi) |
||
|
Krawędź |
|||
|
Krawędź |
Ścięcie |
||
|
Opakowanie |
|||
|
Opakowanie |
Epi-gotowe z opakowaniem próżniowym Opakowanie kaseta z wieloma falami |
||
|
*Uwagi ： „Na” oznacza, że brak wymienionych elementów, które nie wspomniane elementy mogą zapoznać się z pół-STD. |
|||
