4″ 6″ High Purity Semi-Insulating SiC Ingot

Semicera’s 4”6” High Purity Semi-Insulating SiC Ingots are meticulously crafted for advanced electronic and optoelectronic applications. Featuring superior thermal conductivity and electrical resistivity, these ingots provide a robust foundation for high-performance devices. Semicera ensures consistent quality and reliability in every product.

Semicera’s 4”6” High Purity Semi-Insulating SiC Ingots are designed to meet the exacting standards of the semiconductor industry. These ingots are produced with a focus on purity and consistency, making them an ideal choice for high-power and high-frequency applications where performance is paramount.

The unique properties of these SiC ingots, including high thermal conductivity and excellent electrical resistivity, make them particularly suited for use in power electronics and microwave devices. Their semi-insulating nature allows for effective heat dissipation and minimal electrical interference, leading to more efficient and reliable components.

Semicera employs state-of-the-art manufacturing processes to produce ingots with exceptional crystal quality and uniformity. This precision ensures that each ingot can be reliably used in sensitive applications, such as high-frequency amplifiers, laser diodes, and other optoelectronic devices.

Available in both 4-inch and 6-inch sizes, Semicera’s SiC ingots provide the flexibility needed for various production scales and technological requirements. Whether for research and development or mass production, these ingots deliver the performance and durability that modern electronic systems demand.

By choosing Semicera’s High Purity Semi-Insulating SiC Ingots, you are investing in a product that combines advanced material science with unparalleled manufacturing expertise. Semicera is dedicated to supporting the innovation and growth of the semiconductor industry, offering materials that enable the development of cutting-edge electronic devices.

Rzeczy

Produkcja

Badania

Atrapa

Parametry kryształów

Polityp

4H

Błąd orientacji powierzchni

4±0.15°

Parametry elektryczne

Dopant

azot typu N.

Oporność

0,015-0,025OHM · cm

Parametry mechaniczne

Średnica

150,0 ± 0,2 mm

Grubość

350 ± 25 µm

Pierwotna płaska orientacja

[1-100]±5°

Pierwotna płaska długość

47,5 ± 1,5 mm

Wtórne mieszkanie

Nic

TTV

≤5 µm

≤10 µm

≤15 µm

LTV

≤3 μm (5 mm*5 mm)

≤5 μm (5 mm*5 mm)

≤10 μm (5 mm*5 mm)

Ukłon

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Osnowa

≤35 µm

≤45 µm

≤55 µm

Chropowatość z przodu (SI-FACE) (AFM)

RA ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm)

Struktura

Gęstość mikropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Zanieczyszczenia metalowe

≤5E10atoms/cm2

Na

BPD

≤1500 EA/CM2

≤3000 EA/CM2

Na

TSD

≤500 EA/CM2

≤1000 EA/CM2

Na

Jakość z przodu

Przód

Si

Wykończenie powierzchni

SI-FACE CMP

Cząsteczki

≤60ea/wafel (rozmiar ≥0,3 μm)

Na

Zadrapania

≤5EA/mm. Kumulatywna długość ≤ -diameter

Skumulowana długość ≤2*średnica

Na

Skórka pomarańczowa/doły/plamy/prążki/pęknięcia/zanieczyszczenie

Nic

Na

Płyty krawędziowe/wkładki/złamanie/sześciokątne płyty

Nic

Obszary politypowe

Nic

Obszar skumulowany ≤20%

Obszar skumulowany ≤30%

Przednie oznaczenie lasera

Nic

Jakość wstecz

Wstecz

CMP-FACE CMP

Zadrapania

≤5EA/mm, kumulatywna długość ≤2*średnica

Na

Wady tylne (chipsy krawędziowe/wentylatory)

Nic

Chropowatość pleców

RA ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm)

Oznaczenie lasera z tyłu

1 mm (od górnej krawędzi)

Krawędź

Krawędź

Ścięcie

Opakowanie

Opakowanie

Epi-gotowe z opakowaniem próżniowym

Opakowanie kaseta z wieloma falami

*Uwagi : „Na” oznacza, że ​​brak wymienionych elementów, które nie wspomniane elementy mogą zapoznać się z pół-STD.

tech_1_2_size

Wafle Sic

Newletter

Czekamy na Twój kontakt z nami