8 Inch N-type SiC Wafer

Semicera’s 8 Inch N-type SiC Wafers are engineered for cutting-edge applications in high-power and high-frequency electronics. These wafers provide superior electrical and thermal properties, ensuring efficient performance in demanding environments. Semicera delivers innovation and reliability in semiconductor materials.

Semicera’s 8 Inch N-type SiC Wafers are at the forefront of semiconductor innovation, providing a solid base for the development of high-performance electronic devices. These wafers are designed to meet the rigorous demands of modern electronic applications, from power electronics to high-frequency circuits.

The N-type doping in these SiC wafers enhances their electrical conductivity, making them ideal for a wide range of applications, including power diodes, transistors, and amplifiers. The superior conductivity ensures minimal energy loss and efficient operation, which are critical for devices operating at high frequencies and power levels.

Semicera employs advanced manufacturing techniques to produce SiC wafers with exceptional surface uniformity and minimal defects. This level of precision is essential for applications that require consistent performance and durability, such as in aerospace, automotive, and telecommunications industries.

Incorporating Semicera’s 8 Inch N-type SiC Wafers into your production line provides a foundation for creating components that can withstand harsh environments and high temperatures. These wafers are perfect for applications in power conversion, RF technology, and other demanding fields.

Choosing Semicera’s 8 Inch N-type SiC Wafers means investing in a product that combines high-quality material science with precise engineering. Semicera is committed to advancing the capabilities of semiconductor technologies, offering solutions that enhance the efficiency and reliability of your electronic devices.

Rzeczy

Produkcja

Badania

Atrapa

Parametry kryształów

Polityp

4H

Błąd orientacji powierzchni

4±0.15°

Parametry elektryczne

Dopant

azot typu N.

Oporność

0,015-0,025OHM · cm

Parametry mechaniczne

Średnica

150,0 ± 0,2 mm

Grubość

350 ± 25 µm

Pierwotna płaska orientacja

[1-100]±5°

Pierwotna płaska długość

47,5 ± 1,5 mm

Wtórne mieszkanie

Nic

TTV

≤5 µm

≤10 µm

≤15 µm

LTV

≤3 μm (5 mm*5 mm)

≤5 μm (5 mm*5 mm)

≤10 μm (5 mm*5 mm)

Ukłon

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Osnowa

≤35 µm

≤45 µm

≤55 µm

Chropowatość z przodu (SI-FACE) (AFM)

RA ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm)

Struktura

Gęstość mikropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Zanieczyszczenia metalowe

≤5E10atoms/cm2

Na

BPD

≤1500 EA/CM2

≤3000 EA/CM2

Na

TSD

≤500 EA/CM2

≤1000 EA/CM2

Na

Jakość z przodu

Przód

Si

Wykończenie powierzchni

SI-FACE CMP

Cząsteczki

≤60ea/wafel (rozmiar ≥0,3 μm)

Na

Zadrapania

≤5EA/mm. Kumulatywna długość ≤ -diameter

Skumulowana długość ≤2*średnica

Na

Skórka pomarańczowa/doły/plamy/prążki/pęknięcia/zanieczyszczenie

Nic

Na

Płyty krawędziowe/wkładki/złamanie/sześciokątne płyty

Nic

Obszary politypowe

Nic

Obszar skumulowany ≤20%

Obszar skumulowany ≤30%

Przednie oznaczenie lasera

Nic

Jakość wstecz

Wstecz

CMP-FACE CMP

Zadrapania

≤5EA/mm, kumulatywna długość ≤2*średnica

Na

Wady tylne (chipsy krawędziowe/wentylatory)

Nic

Chropowatość pleców

RA ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm)

Oznaczenie lasera z tyłu

1 mm (od górnej krawędzi)

Krawędź

Krawędź

Ścięcie

Opakowanie

Opakowanie

Epi-gotowe z opakowaniem próżniowym

Opakowanie kaseta z wieloma falami

*Uwagi : „Na” oznacza, że ​​brak wymienionych elementów, które nie wspomniane elementy mogą zapoznać się z pół-STD.

tech_1_2_size

Wafle Sic

Newletter

Czekamy na Twój kontakt z nami