With the advent of 8-inch silicon carbide (SiC) wafers, the requirements for various semiconductor processes have become increasingly stringent, especially for epitaxy processes where temperatures can exceed 2000 degrees Celsius. Traditional susceptor materials, such as graphite coated with silicon carbide, tend to sublimate at these high temperatures, disrupting the epitaxy process. However, CVD tantalum carbide (TaC) effectively addresses this issue, withstanding temperatures up to 2300 degrees Celsius and offering a longer service life. Contact Semicera’sCVD Tantalum Carbide Coated Halfmoon Partto explore more about our advanced solutions.
Semicera zapewnia specjalistyczne powłoki węglika tantalu (TAC) dla różnych elementów i nośników. Proces powlekania wiodącego półcesy umożliwia powłoki węgla tantalu (TAC) osiągnięcie wysokiej czystości, stabilności wysokiej temperatury i wysokiej tolerancji chemicznej, poprawa jakości produktu kryształów SIC/GAN i warstw EPI (Grafit pokryty podatnikiem TAC) oraz przedłużenie żywotności kluczowych elementów reaktora. Zastosowanie powłoki TAC TAC tantalu jest rozwiązanie problemu krawędzi i poprawa jakości wzrostu kryształów, a półcera, przełom rozwiązał technologię powlekania z węglika tantalu (CVD), osiągając międzynarodowy poziom zaawansowany.
With the advent of 8-inch silicon carbide (SiC) wafers, the requirements for various semiconductor processes have become increasingly stringent, especially for epitaxy processes where temperatures can exceed 2000 degrees Celsius. Traditional susceptor materials, such as graphite coated with silicon carbide, tend to sublimate at these high temperatures, disrupting the epitaxy process. However, CVD tantalum carbide (TaC) effectively addresses this issue, withstanding temperatures up to 2300 degrees Celsius and offering a longer service life. Contact Semicera’s CVD Tantalum Carbide Coated Halfmoon Part to explore more about our advanced solutions.
Po latach rozwoju Semicera podbiła technologię CVD TAC ze wspólnymi wysiłkami działu badań i rozwoju. Wady są łatwe do wystąpienia w procesie wzrostu Wafle SIC, ale po użyciu Tac, różnica jest znacząca. Poniżej znajduje się porównanie płytek z TAC i bez, a także części Simicera dla wzrostu pojedynczego kryształu.
Co więcej, Semicera's Produkty pokryte TAC wykazują dłuższą żywotność i większy opór w wysokiej temperaturze w porównaniu z Powłoki sic. Pomiary laboratoryjne wykazały, że nasze Powłoki TAC może konsekwentnie wykonywać w temperaturach do 2300 stopni Celsjusza przez dłuższy czas. Poniżej znajdują się kilka przykładów naszych próbek:
