High purity tantalum carbide product customization

TaC coating is a new generation of high temperature resistant material, with better high temperature stability than SiC, as a corrosion resistant coating, oxidation resistant coating, wear resistant coating, can be used in the environment above 2000℃, widely used in aerospace ultra-high temperature hot end parts, the third generation of semiconductor single crystal growth and other fields.

Semicera zapewnia specjalistyczne powłoki węglika tantalu (TAC) dla różnych elementów i nośników. Semicera Semicera leading coating process enables tantalum carbide (TaC) coatings to achieve high purity, high temperature stability and high chemical tolerance, improving product quality of SIC/GAN crystals and EPI layers (Graphite coated TaC susceptor), and extending the life of key reactor components. The use of tantalum carbide TaC coating is to solve the edge problem and improve the quality of crystal growth, and Semicera has breakthrough solved the tantalum carbide coating technology (CVD), reaching the international advanced level.

 

After years of development, Semicera has conquered the technology of CVD TaC with the joint efforts of the R&D department. Defects are easy to occur in the growth process of SiC wafers, but after using TaC, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Semicera’ parts for single crystal growth 

b917b6b4-7572-47fe-9074-24d33288257c

Część TAC dla wzrostu pojedynczego kryształu

Przeciwko ciśnieniowej powłoka z węglikiem tantalu_ chroni sprzęt przed zużyciem i korozją.

Grafit z pierścieniem pokrytym TAC

微信图片_20240227150045

z TAC i bez

微信图片_20240227150053

Po użyciu TAC (po prawej)

Ponadto żywotność usług powlekania TAC Semicera jest dłuższa i bardziej odporna na wysoką temperaturę niż powlekanie SIC. Po długim czasie laboratoryjnych danych pomiarowych nasz TAC może działać przez długi czas w maksymalnie 2300 stopni Celsjusza. Oto niektóre z naszych próbek:

3 (2)

TAC powlekana podatnik

Innowacyjna Technologia powlekania z węglikiem tantalu_ Zwiększenie twardości materiału i oporność w wysokiej temperaturze

Grafit z reaktorem pokrytym TAC

微信截图_20240227145010

(A) Schemat schematu urządzenia uprawnego SIC pojedynczego krystalicznego wlewki metodą PVT (B) Top TAC powlekany wspornik nasion (w tym nasiona SIC) (C) Pokryty grafitowy pierścień z powleczonym TAC

ZDFVZCFV

Główna funkcja

Miejsce pracy półcesy

Półcera robocza miejsce 2

Maszyna sprzętu

Przetwarzanie CNN, czyszczenie chemiczne, powłoka CVD

Nasza usługa

Newletter

Czekamy na Twój kontakt z nami