Semiconductor Silicon based GaN epitaxy

Semicera Energy Technology Co., Ltd. jest wiodącym dostawcą zaawansowanej ceramiki półprzewodników i jedynym producentem w Chinach, który może jednocześnie zapewnić ceramikę węglika krzemu o dużej czystości (zwłaszcza rekrystalizowana SIC) i powlekania CVD SIC. Ponadto nasza firma jest również zaangażowana w dziedziny ceramiczne, takie jak glinę, azotek aluminiowy, cyrkon i azotek krzemowy itp.

Silicon-based GaN epitaxy

Opis produktu

Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SIC protective layer.

Główne funkcje:

1. High temperature oxidation resistance:

the oxidation resistance is still very good when the temperature is as high as 1600 C.

2. High purity : made by chemical vapor deposition under high temperature chlorination condition.

3. Erosion resistance: high hardness, compact surface, fine particles.

4. Corrosion resistance: acid, alkali, salt and organic reagents.

Main Specifications of CVD-SIC Coating

SiC-CVD Properties

Crystal Structure

FCC β phase

Gęstość

g/cm ³

3.21

Hardness

Vickers hardness

2500

Grain Size

μm

2~10

Chemical Purity

%

99.99995

Heat Capacity

J·kg-1 ·K-1

640

Sublimation Temperature

2700

Felexural Strength

MPa  (RT 4-point)

415

Young’ s Modulus

Gpa (4pt bend, 1300℃)

430

Thermal Expansion (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Przewodność cieplna

(W/mK)

300

Miejsce pracy półcesy

Półcera robocza miejsce 2

Maszyna sprzętu

Przetwarzanie CNN, czyszczenie chemiczne, powłoka CVD

Nasza usługa

Newletter

Czekamy na Twój kontakt z nami