Silicon Substrate

Semicera Silicon Substrates are precision-engineered for high-performance applications in electronics and semiconductor manufacturing. With exceptional purity and uniformity, these substrates are designed to support advanced technological processes. Semicera ensures consistent quality and reliability for your most demanding projects.

Semicera Silicon Substrates are crafted to meet the rigorous demands of the semiconductor industry, offering unparalleled quality and precision. These substrates provide a reliable foundation for various applications, from integrated circuits to photovoltaic cells, ensuring optimal performance and longevity.

The high purity of Semicera Silicon Substrates ensures minimal defects and superior electrical characteristics, which are critical for the production of high-efficiency electronic components. This level of purity helps in reducing energy loss and improving the overall efficiency of semiconductor devices.

Semicera employs state-of-the-art manufacturing techniques to produce silicon substrates with exceptional uniformity and flatness. This precision is essential for achieving consistent results in semiconductor fabrication, where even the slightest variation can impact device performance and yield.

Available in a variety of sizes and specifications, Semicera Silicon Substrates cater to a wide range of industrial needs. Whether you are developing cutting-edge microprocessors or solar panels, these substrates provide the flexibility and reliability required for your specific application.

Semicera is dedicated to supporting innovation and efficiency in the semiconductor industry. By providing high-quality silicon substrates, we enable manufacturers to push the boundaries of technology, delivering products that meet the evolving demands of the market. Trust Semicera for your next-generation electronic and photovoltaic solutions.

Rzeczy

Produkcja

Badania

Atrapa

Parametry kryształów

Polityp

4H

Błąd orientacji powierzchni

4±0.15°

Parametry elektryczne

Dopant

azot typu N.

Oporność

0,015-0,025OHM · cm

Parametry mechaniczne

Średnica

150,0 ± 0,2 mm

Grubość

350 ± 25 µm

Pierwotna płaska orientacja

[1-100]±5°

Pierwotna płaska długość

47,5 ± 1,5 mm

Wtórne mieszkanie

Nic

TTV

≤5 µm

≤10 µm

≤15 µm

LTV

≤3 μm (5 mm*5 mm)

≤5 μm (5 mm*5 mm)

≤10 μm (5 mm*5 mm)

Ukłon

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Osnowa

≤35 µm

≤45 µm

≤55 µm

Chropowatość z przodu (SI-FACE) (AFM)

RA ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm)

Struktura

Gęstość mikropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Zanieczyszczenia metalowe

≤5E10atoms/cm2

Na

BPD

≤1500 EA/CM2

≤3000 EA/CM2

Na

TSD

≤500 EA/CM2

≤1000 EA/CM2

Na

Jakość z przodu

Przód

Si

Wykończenie powierzchni

SI-FACE CMP

Cząsteczki

≤60ea/wafel (rozmiar ≥0,3 μm)

Na

Zadrapania

≤5EA/mm. Kumulatywna długość ≤ -diameter

Skumulowana długość ≤2*średnica

Na

Skórka pomarańczowa/doły/plamy/prążki/pęknięcia/zanieczyszczenie

Nic

Na

Płyty krawędziowe/wkładki/złamanie/sześciokątne płyty

Nic

Obszary politypowe

Nic

Obszar skumulowany ≤20%

Obszar skumulowany ≤30%

Przednie oznaczenie lasera

Nic

Jakość wstecz

Wstecz

CMP-FACE CMP

Zadrapania

≤5EA/mm, kumulatywna długość ≤2*średnica

Na

Wady tylne (chipsy krawędziowe/wentylatory)

Nic

Chropowatość pleców

RA ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm)

Oznaczenie lasera z tyłu

1 mm (od górnej krawędzi)

Krawędź

Krawędź

Ścięcie

Opakowanie

Opakowanie

Epi-gotowe z opakowaniem próżniowym

Opakowanie kaseta z wieloma falami

*Uwagi : „Na” oznacza, że ​​brak wymienionych elementów, które nie wspomniane elementy mogą zapoznać się z pół-STD.

tech_1_2_size

Wafle Sic

Newletter

Czekamy na Twój kontakt z nami