Silicon Wafer

Semicera Silicon Wafers are the cornerstone of modern semiconductor devices, offering unmatched purity and precision. Designed to meet the stringent demands of high-tech industries, these wafers ensure reliable performance and consistent quality. Trust Semicera for your cutting-edge electronic applications and innovative technology solutions.

Semicera Silicon Wafers are meticulously crafted to serve as the foundation for a wide array of semiconductor devices, from microprocessors to photovoltaic cells. These wafers are engineered with high precision and purity, ensuring optimal performance in various electronic applications.

Manufactured using advanced techniques, Semicera Silicon Wafers exhibit exceptional flatness and uniformity, which are crucial for achieving high yields in semiconductor fabrication. This level of precision helps in minimizing defects and improving the overall efficiency of electronic components.

The superior quality of Semicera Silicon Wafers is evident in their electrical characteristics, which contribute to the enhanced performance of semiconductor devices. With low impurity levels and high crystal quality, these wafers provide the ideal platform for developing high-performance electronics.

Available in various sizes and specifications, Semicera Silicon Wafers can be tailored to meet the specific needs of different industries, including computing, telecommunications, and renewable energy. Whether for large-scale manufacturing or specialized research, these wafers deliver reliable results.

Semicera is committed to supporting the growth and innovation of the semiconductor industry by providing high-quality silicon wafers that meet the highest industry standards. With a focus on precision and reliability, Semicera enables manufacturers to push the boundaries of technology, ensuring their products stay at the forefront of the market.

Rzeczy

Produkcja

Badania

Atrapa

Parametry kryształów

Polityp

4H

Błąd orientacji powierzchni

4±0.15°

Parametry elektryczne

Dopant

azot typu N.

Oporność

0,015-0,025OHM · cm

Parametry mechaniczne

Średnica

150,0 ± 0,2 mm

Grubość

350 ± 25 µm

Pierwotna płaska orientacja

[1-100]±5°

Pierwotna płaska długość

47,5 ± 1,5 mm

Wtórne mieszkanie

Nic

TTV

≤5 µm

≤10 µm

≤15 µm

LTV

≤3 μm (5 mm*5 mm)

≤5 μm (5 mm*5 mm)

≤10 μm (5 mm*5 mm)

Ukłon

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Osnowa

≤35 µm

≤45 µm

≤55 µm

Chropowatość z przodu (SI-FACE) (AFM)

RA ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm)

Struktura

Gęstość mikropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Zanieczyszczenia metalowe

≤5E10atoms/cm2

Na

BPD

≤1500 EA/CM2

≤3000 EA/CM2

Na

TSD

≤500 EA/CM2

≤1000 EA/CM2

Na

Jakość z przodu

Przód

Si

Wykończenie powierzchni

SI-FACE CMP

Cząsteczki

≤60ea/wafel (rozmiar ≥0,3 μm)

Na

Zadrapania

≤5EA/mm. Kumulatywna długość ≤ -diameter

Skumulowana długość ≤2*średnica

Na

Skórka pomarańczowa/doły/plamy/prążki/pęknięcia/zanieczyszczenie

Nic

Na

Płyty krawędziowe/wkładki/złamanie/sześciokątne płyty

Nic

Obszary politypowe

Nic

Obszar skumulowany ≤20%

Obszar skumulowany ≤30%

Przednie oznaczenie lasera

Nic

Jakość wstecz

Wstecz

CMP-FACE CMP

Zadrapania

≤5EA/mm, kumulatywna długość ≤2*średnica

Na

Wady tylne (chipsy krawędziowe/wentylatory)

Nic

Chropowatość pleców

RA ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm)

Oznaczenie lasera z tyłu

1 mm (od górnej krawędzi)

Krawędź

Krawędź

Ścięcie

Opakowanie

Opakowanie

Epi-gotowe z opakowaniem próżniowym

Opakowanie kaseta z wieloma falami

*Uwagi : „Na” oznacza, że ​​brak wymienionych elementów, które nie wspomniane elementy mogą zapoznać się z pół-STD.

tech_1_2_size

Wafle Sic

Newletter

Czekamy na Twój kontakt z nami