Silicon carbide (SiC) is a key material in the third generation of semiconductors, but its yield rate has been a limiting factor for industry growth. After extensive testing in Semicera’s laboratories, it has been found that sprayed and sintered TaC lacks the necessary purity and uniformity. In contrast, the CVD process ensures a purity level of 5 PPM and excellent uniformity. The use of CVD TaC significantly improves the yield rate of silicon carbide wafers. We welcome discussionsTaC Coated Graphite Three-Segment Ringsto further reduce the costs of SiC wafers.
Semicera zapewnia specjalistyczne powłoki węglika tantalu (TAC) dla różnych elementów i nośników. Proces powlekania wiodącego półcesy umożliwia powłoki węgla tantalu (TAC) osiągnięcie wysokiej czystości, stabilności wysokiej temperatury i wysokiej tolerancji chemicznej, poprawa jakości produktu kryształów SIC/GAN i warstw EPI (Grafit pokryty podatnikiem TAC) oraz przedłużenie żywotności kluczowych elementów reaktora. Zastosowanie powłoki TAC TAC tantalu jest rozwiązanie problemu krawędzi i poprawa jakości wzrostu kryształów, a półcera, przełom rozwiązał technologię powlekania z węglika tantalu (CVD), osiągając międzynarodowy poziom zaawansowany.
Silicon carbide (SiC) is a key material in the third generation of semiconductors, but its yield rate has been a limiting factor for industry growth. After extensive testing in Semicera’s laboratories, it has been found that sprayed and sintered TaC lacks the necessary purity and uniformity. In contrast, the CVD process ensures a purity level of 5 PPM and excellent uniformity. The use of CVD TaC significantly improves the yield rate of silicon carbide wafers. We welcome discussions TaC Coated Graphite Three-Segment Rings to further reduce the costs of SiC wafers.
Po latach rozwoju Semicera podbiła technologię CVD TAC ze wspólnymi wysiłkami działu badań i rozwoju. Wady są łatwe do wystąpienia w procesie wzrostu Wafle SIC, ale po użyciu Tac, różnica jest znacząca. Poniżej znajduje się porównanie płytek z TAC i bez, a także części Simicera dla wzrostu pojedynczego kryształu.
Co więcej, Semicera's Produkty pokryte TAC wykazują dłuższą żywotność i większy opór w wysokiej temperaturze w porównaniu z Powłoki sic. Pomiary laboratoryjne wykazały, że nasze Powłoki TAC może konsekwentnie wykonywać w temperaturach do 2300 stopni Celsjusza przez dłuższy czas. Poniżej znajdują się kilka przykładów naszych próbek:
