Wafer Cassette– Precision-engineered for the safe handling and storage of semiconductor wafers, ensuring optimal protection and cleanliness throughout the manufacturing process.
Semicera’s Wafer Cassette is a critical component in the semiconductor manufacturing process, designed to securely hold and transport delicate semiconductor wafers. The Wafer Cassette provides exceptional protection, ensuring that each wafer is kept free from contaminants and physical damage during handling, storage, and transportation.
Constructed with high-purity, chemical-resistant materials, the Semicera Wafer Cassette guarantees the highest levels of cleanliness and durability, essential for maintaining the integrity of wafers at every stage of production. The precision engineering of these cassettes allows for seamless integration with automated handling systems, minimizing the risk of contamination and mechanical damage.
The design of the Wafer Cassette also supports optimal airflow and temperature control, which is crucial for processes that require specific environmental conditions. Whether used in cleanrooms or during thermal processing, the Semicera Wafer Cassette is engineered to meet the stringent demands of the semiconductor industry, providing reliable and consistent performance to enhance manufacturing efficiency and product quality.
|
Rzeczy |
Produkcja |
Badania |
Atrapa |
|
Parametry kryształów |
|||
|
Polityp |
4H |
||
|
Błąd orientacji powierzchni |
4±0.15° |
||
|
Parametry elektryczne |
|||
|
Dopant |
azot typu N. |
||
|
Oporność |
0,015-0,025OHM · cm |
||
|
Parametry mechaniczne |
|||
|
Średnica |
150,0 ± 0,2 mm |
||
|
Grubość |
350 ± 25 µm |
||
|
Pierwotna płaska orientacja |
[1-100]±5° |
||
|
Pierwotna płaska długość |
47,5 ± 1,5 mm |
||
|
Wtórne mieszkanie |
Nic |
||
|
TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
|
LTV |
≤3 μm (5 mm*5 mm) |
≤5 μm (5 mm*5 mm) |
≤10 μm (5 mm*5 mm) |
|
Ukłon |
-15 μm ~ 15 μm |
-35 μm ~ 35 μm |
-45 μm ~ 45 μm |
|
Osnowa |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
|
Chropowatość z przodu (SI-FACE) (AFM) |
RA ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm) |
||
|
Struktura |
|||
|
Gęstość mikropipe |
<1 ea/cm2 |
<10 ea/cm2 |
<15 ea/cm2 |
|
Zanieczyszczenia metalowe |
≤5E10atoms/cm2 |
Na |
|
|
BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
Na |
|
TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
Na |
|
Jakość z przodu |
|||
|
Przód |
Si |
||
|
Wykończenie powierzchni |
SI-FACE CMP |
||
|
Cząsteczki |
≤60ea/wafel (rozmiar ≥0,3 μm) |
Na |
|
|
Zadrapania |
≤5EA/mm. Kumulatywna długość ≤ -diameter |
Skumulowana długość ≤2*średnica |
Na |
|
Skórka pomarańczowa/doły/plamy/prążki/pęknięcia/zanieczyszczenie |
Nic |
Na |
|
|
Płyty krawędziowe/wkładki/złamanie/sześciokątne płyty |
Nic |
||
|
Obszary politypowe |
Nic |
Obszar skumulowany ≤20% |
Obszar skumulowany ≤30% |
|
Przednie oznaczenie lasera |
Nic |
||
|
Jakość wstecz |
|||
|
Wstecz |
CMP-FACE CMP |
||
|
Zadrapania |
≤5EA/mm, kumulatywna długość ≤2*średnica |
Na |
|
|
Wady tylne (chipsy krawędziowe/wentylatory) |
Nic |
||
|
Chropowatość pleców |
RA ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm) |
||
|
Oznaczenie lasera z tyłu |
1 mm (od górnej krawędzi) |
||
|
Krawędź |
|||
|
Krawędź |
Ścięcie |
||
|
Opakowanie |
|||
|
Opakowanie |
Epi-gotowe z opakowaniem próżniowym Opakowanie kaseta z wieloma falami |
||
|
*Uwagi ： „Na” oznacza, że brak wymienionych elementów, które nie wspomniane elementy mogą zapoznać się z pół-STD. |
|||
