{"id":1402,"date":"2025-09-11T05:28:53","date_gmt":"2025-09-11T05:28:53","guid":{"rendered":"https:\/\/weitai2.globaldeepsea.site\/product\/2%e2%80%b3-gallium-oxide-substrates\/"},"modified":"2026-04-29T15:33:47","modified_gmt":"2026-04-29T07:33:47","slug":"2%e2%80%b3-gallium-oxide-substrates","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/product\/2\u2033-gallium-oxide-substrates\/","title":{"rendered":"2 \u2033 pod\u0142o\u017ca tlenku galu"},"content":{"rendered":"
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n

P\u00f3\u0142cesta<\/em> jest podekscytowany oferowaniem 2 \u2033 pod\u0142o\u017ca tlenku galu<\/strong>, najnowocze\u015bniejszy materia\u0142 zaprojektowany w celu zwi\u0119kszenia wydajno\u015bci zaawansowanych urz\u0105dze\u0144 p\u00f3\u0142przewodnikowych. Te substraty, wykonane z tlenku galu (GA2<\/sub>O3<\/sub>), zawieraj\u0105 ultra szerok\u0105 gm\u0119, co czyni je idealnym wyborem do zastosowa\u0144 optoelektronicznych o du\u017cej cz\u0119stotliwo\u015bci, wysokiej cz\u0119stotliwo\u015bci i UV.<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

Key Features:<\/strong><\/span><\/p>\n

<\/strong>\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0 Bandgap bardzo szeroko\u015bci ca\u0142ej ca\u0142ej ca\u0142ej<\/strong>: The 2 \u2033 pod\u0142o\u017ca tlenku galu<\/strong> Zapewnij zaleg\u0142\u0105 grubo\u015b\u0107 pasma oko\u0142o 4,8 eV, umo\u017cliwiaj\u0105c wy\u017csze dzia\u0142anie napi\u0119cia i temperatury, znacznie przekraczaj\u0105c mo\u017cliwo\u015bci tradycyjnych materia\u0142\u00f3w p\u00f3\u0142przewodnikowych, takich jak krzemion.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0\u00a0<\/strong>Wyj\u0105tkowe napi\u0119cie podzia\u0142u<\/strong>: Te substraty umo\u017cliwiaj\u0105 urz\u0105dzeniom obs\u0142ug\u0119 znacznie wy\u017cszych napi\u0119\u0107, dzi\u0119ki czemu s\u0105 idealne do elektroniki energetycznej, szczeg\u00f3lnie w zastosowaniach o wysokim napi\u0119ciu.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0\u00a0<\/strong>Doskona\u0142a przewodno\u015b\u0107 cieplna<\/strong>: Przy doskona\u0142ej stabilno\u015bci termicznej pod\u0142o\u017ca te utrzymuj\u0105 sp\u00f3jn\u0105 wydajno\u015b\u0107 nawet w ekstremalnych \u015brodowiskach termicznych, idealnych do zastosowa\u0144 o du\u017cej mocy i wysokiej temperaturze.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0\u00a0<\/strong>Materia\u0142 wysokiej jako\u015bci<\/strong>: The 2 \u2033 pod\u0142o\u017ca tlenku galu<\/strong> Oferuj niskie g\u0119sto\u015bci wady i wysok\u0105 jako\u015b\u0107 krystaliczn\u0105, zapewniaj\u0105c niezawodn\u0105 i wydajn\u0105 wydajno\u015b\u0107 urz\u0105dze\u0144 p\u00f3\u0142przewodnikowych.<\/span><\/p>\n

\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2022\u00a0\u00a0<\/strong>Wszechstronne aplikacje<\/strong>: Te substraty s\u0105 odpowiednie do szeregu aplikacji, w tym tranzystor\u00f3w energii, diod Schottky i urz\u0105dze\u0144 LED UV-C, oferuj\u0105c solidne podstawy dla innowacji zasilania i optoelektronicznych.<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

Odblokuj pe\u0142ny potencja\u0142 urz\u0105dze\u0144 p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w z p\u00f3\u0142przewodnikami 2 \u2033 pod\u0142o\u017ca tlenku galu<\/strong>. Nasze pod\u0142o\u017ca maj\u0105 na celu zaspokojenie wymagaj\u0105cych potrzeb dzisiejszych zaawansowanych aplikacji, zapewniaj\u0105c wysok\u0105 wydajno\u015b\u0107, niezawodno\u015b\u0107 i wydajno\u015b\u0107. Wybierz p\u00f3\u0142cesta dla najnowocze\u015bniejszych materia\u0142\u00f3w p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w, kt\u00f3re nap\u0119dzaj\u0105 innowacje.<\/span><\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

\n
\n
\n
\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
\n

Rzeczy<\/p>\n<\/td>\n

\n

Produkcja<\/p>\n<\/td>\n

\n

Badania<\/p>\n<\/td>\n

\n

Atrapa<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Parametry kryszta\u0142\u00f3w<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Polityp<\/p>\n<\/td>\n

\n

4H<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

B\u0142\u0105d orientacji powierzchni<\/p>\n<\/td>\n

\n

4\u00b10.15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Parametry elektryczne<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Dopant<\/p>\n<\/td>\n

\n

azot typu N.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Oporno\u015b\u0107<\/p>\n<\/td>\n

\n

0,015-0,025OHM \u00b7 cm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Parametry mechaniczne<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u015arednica<\/p>\n<\/td>\n

\n

150,0 \u00b1 0,2 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Grubo\u015b\u0107<\/p>\n<\/td>\n

\n

350 \u00b1 25 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Pierwotna p\u0142aska orientacja<\/p>\n<\/td>\n

\n

[1-100]\u00b15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Pierwotna p\u0142aska d\u0142ugo\u015b\u0107<\/p>\n<\/td>\n

\n

47,5 \u00b1 1,5 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Wt\u00f3rne mieszkanie<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nic<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

TTV<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226415 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

LTV<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22643 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Uk\u0142on<\/p>\n<\/td>\n

\n

-15 \u03bcm ~ 15 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

\n

-35 \u03bcm ~ 35 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

\n

-45 \u03bcm ~ 45 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Osnowa<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226435 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226445 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226455 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Chropowato\u015b\u0107 z przodu (SI-FACE) (AFM)<\/p>\n<\/td>\n

\n

RA \u2264 0,2 nm (5 \u03bcm*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Struktura<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

G\u0119sto\u015b\u0107 mikropipe<\/p>\n<\/td>\n

\n

<1 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

<10 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

<15 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Zanieczyszczenia metalowe<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645E10atoms\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

Na<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

BPD<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641500 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22643000 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

Na<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

TSD<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u2264500 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641000 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

Na<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Jako\u015b\u0107 z przodu<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Prz\u00f3d<\/p>\n<\/td>\n

\n

Si<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Wyko\u0144czenie powierzchni<\/p>\n<\/td>\n

\n

SI-FACE CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Cz\u0105steczki<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226460ea\/wafel (rozmiar \u22650,3 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Na<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Zadrapania<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645EA\/mm. Kumulatywna d\u0142ugo\u015b\u0107 \u2264 -diameter<\/p>\n<\/td>\n

\n

Skumulowana d\u0142ugo\u015b\u0107 \u22642*\u015brednica<\/p>\n<\/td>\n

\n

Na<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Sk\u00f3rka pomara\u0144czowa\/do\u0142y\/plamy\/pr\u0105\u017cki\/p\u0119kni\u0119cia\/zanieczyszczenie<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nic<\/p>\n<\/td>\n

\n

Na<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

P\u0142yty kraw\u0119dziowe\/wk\u0142adki\/z\u0142amanie\/sze\u015bciok\u0105tne p\u0142yty<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nic<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Obszary politypowe<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nic<\/p>\n<\/td>\n

\n

Obszar skumulowany \u226420%<\/p>\n<\/td>\n

\n

Obszar skumulowany \u226430%<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Przednie oznaczenie lasera<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nic<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Jako\u015b\u0107 wstecz<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Wstecz<\/p>\n<\/td>\n

\n

CMP-FACE CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Zadrapania<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645EA\/mm, kumulatywna d\u0142ugo\u015b\u0107 \u22642*\u015brednica<\/p>\n<\/td>\n

\n

Na<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Wady tylne (chipsy kraw\u0119dziowe\/wentylatory)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nic<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Chropowato\u015b\u0107 plec\u00f3w<\/p>\n<\/td>\n

\n

RA \u2264 0,2 nm (5 \u03bcm*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Oznaczenie lasera z ty\u0142u<\/p>\n<\/td>\n

\n

1 mm (od g\u00f3rnej kraw\u0119dzi)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Kraw\u0119d\u017a<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Kraw\u0119d\u017a<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u015aci\u0119cie<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Opakowanie<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Opakowanie<\/p>\n<\/td>\n

\n

Epi-gotowe z opakowaniem pr\u00f3\u017cniowym<\/p>\n

Opakowanie kaseta z wieloma falami<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

*Uwagi \uff1a \u201eNa\u201d oznacza, \u017ce \u200b\u200bbrak wymienionych element\u00f3w, kt\u00f3re nie wspomniane elementy mog\u0105 zapozna\u0107 si\u0119 z p\u00f3\u0142-STD.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

\n
\n
\n
\n
\n
\n
\"tech_1_2_size\" <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\"Wafle <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

2 \u2033 pod\u0142o\u017ca tlenku gali-optymalizuj swoje urz\u0105dzenia p\u00f3\u0142przewodnikowe z wysokiej jako\u015bci pod\u0142o\u017cami tlenku galonowego Semicera, zaprojektowanego pod k\u0105tem doskona\u0142ej wydajno\u015bci w elektronice energetycznej i aplikacjach UV.<\/p>","protected":false},"featured_media":758,"comment_status":"closed","ping_status":"open","template":"","meta":[],"product_brand":[],"product_cat":[22,21],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-1402","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-porous-graphite","7":"product_cat-specialty-graphite","9":"first","10":"instock","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1402","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1402"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media\/758"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1402"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=1402"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=1402"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=1402"}],"curies":[{"name":"WP","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}