{"id":1411,"date":"2025-09-11T05:28:53","date_gmt":"2025-09-11T05:28:53","guid":{"rendered":"https:\/\/weitai2.globaldeepsea.site\/product\/soi-wafer-silicon-on-insulator\/"},"modified":"2026-04-29T15:33:51","modified_gmt":"2026-04-29T07:33:51","slug":"soi-wafer-silicon-on-insulator","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/product\/soi-wafer-silicon-on-insulator\/","title":{"rendered":"SOI WAFER Krzem na izolatorze"},"content":{"rendered":"
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n

Wafel SOI SEI (krzem na izolatorze) zosta\u0142 zaprojektowany do zapewnienia doskona\u0142ej izolacji elektrycznej i wydajno\u015bci termicznej. Ta innowacyjna struktura waflowa, zawieraj\u0105ca krzemow\u0105 warstw\u0119 na warstwie izolacyjnej, zapewnia zwi\u0119kszon\u0105 wydajno\u015b\u0107 urz\u0105dzenia i zmniejszone zu\u017cycie energii, dzi\u0119ki czemu jest idealna do r\u00f3\u017cnych aplikacji zaawansowanych technologii.<\/span><\/p>\n

Nasze wafle SOI oferuj\u0105 wyj\u0105tkowe korzy\u015bci dla obwod\u00f3w zintegrowanych, minimalizuj\u0105c paso\u017cytnicz\u0105 pojemno\u015b\u0107 i popraw\u0119 szybko\u015bci i wydajno\u015bci urz\u0105dzenia. Ma to kluczowe znaczenie dla nowoczesnej elektroniki, w kt\u00f3rej wysokiej wydajno\u015bci i efektywno\u015bci energetycznej s\u0105 niezb\u0119dne zar\u00f3wno dla zastosowa\u0144 konsumenckich, jak i przemys\u0142owych.<\/span><\/p>\n

Semicera wykorzystuje zaawansowane techniki produkcyjne w celu wytwarzania p\u0142ytek SOI o sta\u0142ej jako\u015bci i niezawodno\u015bci. Te wafle zapewniaj\u0105 doskona\u0142\u0105 izolacj\u0119 termiczn\u0105, dzi\u0119ki czemu s\u0105 odpowiednie do stosowania w \u015brodowiskach, w kt\u00f3rych rozpraszanie ciep\u0142a jest problemem, na przyk\u0142ad w urz\u0105dzeniach elektronicznych o du\u017cej g\u0119sto\u015bci i systemach zarz\u0105dzania energi\u0105.<\/span><\/p>\n

Zastosowanie wafl\u00f3w SOI w produkcji p\u00f3\u0142przewodnikowej pozwala na opracowanie mniejszych, szybszych i bardziej niezawodnych uk\u0142ad\u00f3w. Zobowi\u0105zanie Semicera w in\u017cynierii precyzyjnej zapewnia, \u017ce \u200b\u200bnasze wafle SOI spe\u0142niaj\u0105 wysokie standardy wymagane do najnowocze\u015bniejszych technologii w dziedzinach, takich jak telekomunikacja, motoryzacja i elektronika konsumpcyjna.<\/span><\/p>\n

Wyb\u00f3r wafla SOI SEI, oznacza inwestowanie w produkt, kt\u00f3ry wspiera post\u0119p technologii elektronicznych i mikroelektronicznych. Nasze wafle zosta\u0142y zaprojektowane tak, aby zapewni\u0107 lepsz\u0105 wydajno\u015b\u0107 i trwa\u0142o\u015b\u0107, przyczyniaj\u0105c si\u0119 do sukcesu projekt\u00f3w zaawansowanych technologii i zapewniaj\u0105c, \u017ce pozostajesz w czo\u0142\u00f3wce innowacji.<\/span><\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

\n
\n
\n
\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
\n

Rzeczy<\/p>\n<\/td>\n

\n

Produkcja<\/p>\n<\/td>\n

\n

Badania<\/p>\n<\/td>\n

\n

Atrapa<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Parametry kryszta\u0142\u00f3w<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Polityp<\/p>\n<\/td>\n

\n

4H<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

B\u0142\u0105d orientacji powierzchni<\/p>\n<\/td>\n

\n

4\u00b10.15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Parametry elektryczne<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Dopant<\/p>\n<\/td>\n

\n

azot typu N.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Oporno\u015b\u0107<\/p>\n<\/td>\n

\n

0,015-0,025OHM \u00b7 cm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Parametry mechaniczne<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u015arednica<\/p>\n<\/td>\n

\n

150,0 \u00b1 0,2 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Grubo\u015b\u0107<\/p>\n<\/td>\n

\n

350 \u00b1 25 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Pierwotna p\u0142aska orientacja<\/p>\n<\/td>\n

\n

[1-100]\u00b15\u00b0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Pierwotna p\u0142aska d\u0142ugo\u015b\u0107<\/p>\n<\/td>\n

\n

47,5 \u00b1 1,5 mm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Wt\u00f3rne mieszkanie<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nic<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

TTV<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226415 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

LTV<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22643 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226410 \u03bcm (5 mm*5 mm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Uk\u0142on<\/p>\n<\/td>\n

\n

-15 \u03bcm ~ 15 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

\n

-35 \u03bcm ~ 35 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n

\n

-45 \u03bcm ~ 45 \u03bcm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Osnowa<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226435 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226445 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226455 \u00b5m<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Chropowato\u015b\u0107 z przodu (SI-FACE) (AFM)<\/p>\n<\/td>\n

\n

RA \u2264 0,2 nm (5 \u03bcm*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Struktura<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

G\u0119sto\u015b\u0107 mikropipe<\/p>\n<\/td>\n

\n

<1 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

<10 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

<15 ea\/cm2<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Zanieczyszczenia metalowe<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645E10atoms\/cm2<\/p>\n<\/td>\n

\n

Na<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

BPD<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641500 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22643000 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

Na<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

TSD<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u2264500 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22641000 EA\/CM2<\/p>\n<\/td>\n

\n

Na<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Jako\u015b\u0107 z przodu<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Prz\u00f3d<\/p>\n<\/td>\n

\n

Si<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Wyko\u0144czenie powierzchni<\/p>\n<\/td>\n

\n

SI-FACE CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Cz\u0105steczki<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u226460ea\/wafel (rozmiar \u22650,3 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Na<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Zadrapania<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645EA\/mm. Kumulatywna d\u0142ugo\u015b\u0107 \u2264 -diameter<\/p>\n<\/td>\n

\n

Skumulowana d\u0142ugo\u015b\u0107 \u22642*\u015brednica<\/p>\n<\/td>\n

\n

Na<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Sk\u00f3rka pomara\u0144czowa\/do\u0142y\/plamy\/pr\u0105\u017cki\/p\u0119kni\u0119cia\/zanieczyszczenie<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nic<\/p>\n<\/td>\n

\n

Na<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

P\u0142yty kraw\u0119dziowe\/wk\u0142adki\/z\u0142amanie\/sze\u015bciok\u0105tne p\u0142yty<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nic<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Obszary politypowe<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nic<\/p>\n<\/td>\n

\n

Obszar skumulowany \u226420%<\/p>\n<\/td>\n

\n

Obszar skumulowany \u226430%<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Przednie oznaczenie lasera<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nic<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Jako\u015b\u0107 wstecz<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Wstecz<\/p>\n<\/td>\n

\n

CMP-FACE CMP<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Zadrapania<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u22645EA\/mm, kumulatywna d\u0142ugo\u015b\u0107 \u22642*\u015brednica<\/p>\n<\/td>\n

\n

Na<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Wady tylne (chipsy kraw\u0119dziowe\/wentylatory)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nic<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Chropowato\u015b\u0107 plec\u00f3w<\/p>\n<\/td>\n

\n

RA \u2264 0,2 nm (5 \u03bcm*5 \u03bcm)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Oznaczenie lasera z ty\u0142u<\/p>\n<\/td>\n

\n

1 mm (od g\u00f3rnej kraw\u0119dzi)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Kraw\u0119d\u017a<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Kraw\u0119d\u017a<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u015aci\u0119cie<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Opakowanie<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Opakowanie<\/p>\n<\/td>\n

\n

Epi-gotowe z opakowaniem pr\u00f3\u017cniowym<\/p>\n

Opakowanie kaseta z wieloma falami<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

*Uwagi \uff1a \u201eNa\u201d oznacza, \u017ce \u200b\u200bbrak wymienionych element\u00f3w, kt\u00f3re nie wspomniane elementy mog\u0105 zapozna\u0107 si\u0119 z p\u00f3\u0142-STD.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

\n
\n
\n
\n
\n
\n
\"tech_1_2_size\" <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\"Wafle <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Wafel SOI SEI (krzem na izolatorze) zapewnia wyj\u0105tkow\u0105 izolacj\u0119 elektryczn\u0105 i wydajno\u015b\u0107 dla zaawansowanych zastosowa\u0144 p\u00f3\u0142przewodnikowych. Wafle te zaprojektowane pod k\u0105tem doskona\u0142ej wydajno\u015bci termicznej i elektrycznej s\u0105 idealne do zintegrowanych obwod\u00f3w o wysokiej wydajno\u015bci. Wybierz p\u00f3\u0142cesy pod wzgl\u0119dem jako\u015bci i niezawodno\u015bci technologii waflowej SOI.<\/p>","protected":false},"featured_media":1004,"comment_status":"closed","ping_status":"open","template":"","meta":[],"product_brand":[],"product_cat":[35,26],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-1411","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-sic-substrate","7":"product_cat-wafer","9":"first","10":"instock","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1411","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1411"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media\/1004"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1411"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=1411"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=1411"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=1411"}],"curies":[{"name":"WP","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}