{"id":1299,"date":"2025-09-11T05:28:18","date_gmt":"2025-09-11T05:28:18","guid":{"rendered":"https:\/\/weitai2.globaldeepsea.site\/product\/tac-coated-porous-graphite-plate\/"},"modified":"2026-04-29T15:34:23","modified_gmt":"2026-04-29T07:34:23","slug":"tac-coated-porous-graphite-plate","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/product\/tac-coated-porous-graphite-plate\/","title":{"rendered":"Placa de grafite porosa revestida com TAC"},"content":{"rendered":"
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n

Especifica\u00e7\u00f5es t\u00e9cnicas<\/b><\/b><\/span><\/h3>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
\n

Par\u00e2metro<\/b><\/b><\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Especifica\u00e7\u00e3o<\/b><\/b><\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Material base<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Grafite porosa pressionada isost\u00e1tica<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Densidade aparente<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

1,8 - 2,1 g\/cm\u00b3<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Porosidade<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

40 - 60%<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Faixa de tamanho de poro<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

50 - 200 \u00b5m<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

For\u00e7a de compress\u00e3o<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u2265 80 MPa (antes do revestimento)<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

M\u00e9todo de revestimento<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Deposi\u00e7\u00e3o de vapor qu\u00edmico (CVD)<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Material de revestimento<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Tantalum Carbide (TAC)<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Espessura do revestimento<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

2 - 35 \u03bcm (com zona de transi\u00e7\u00e3o de gradiente)<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Temperatura de trabalho<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

At\u00e9 1800 \u00b0 C em ambientes inertes ou redutores<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Personaliza\u00e7\u00e3o<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Dimens\u00f5es, porosidade e espessura de revestimento dispon\u00edvel<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Principais recursos<\/b><\/b><\/span><\/h3>\n

1. <\/b>Resist\u00eancia extrema de oxida\u00e7\u00e3o<\/b><\/b><\/span><\/h4>\n

O revestimento TAC forma um protetor Camada de vidro ta\u2082o\u2085<\/b>\u00a0Sob condi\u00e7\u00f5es oxidantes, reduzindo significativamente a taxa de oxida\u00e7\u00e3o.<\/span><\/p>\n

A 800 \u00b0 C no ar:<\/span>
\u2022 Grafite n\u00e3o revestido: 12 mg\/cm\u00b2 \u00b7 h<\/span>
\u2022 Placa revestida com TAC: 0,3 mg\/cm\u00b2 \u00b7 h<\/b><\/span><\/p>\n

2. <\/b>Integridade mec\u00e2nica aprimorada<\/b><\/b><\/span><\/h4>\n

A microestrutura de gradiente entre TAC e grafite reduz o estresse t\u00e9rmico interfacial por at\u00e9 67%<\/b>, preven\u00e7\u00e3o de delamina\u00e7\u00e3o ou rachaduras sob ciclismo t\u00e9rmico.<\/span><\/p>\n

A for\u00e7a melhorou em 3 \u00d7 no teste de laborat\u00f3rio semicera quando a resist\u00eancia \u00e0 base \u2265 80 MPa.<\/span><\/p>\n

3. <\/b>Durabilidade da carga t\u00e9rmica<\/b><\/b><\/span><\/h4>\n

Mant\u00e9m a estabilidade estrutural em 1800 \u00b0 C \/ 10 MPa<\/b>, com 8 \u00d7 resist\u00eancia mais longa<\/b>\u00a0do que placas de grafite n\u00e3o revestidas.<\/span><\/p>\n

4. <\/b>In\u00e9rcia qu\u00edmica em gases agressivos<\/b><\/b><\/span><\/h4>\n

Resistente a H\u2082, HCl, NH\u2083 e outras atmosferas agressivas, tornando -a uma op\u00e7\u00e3o confi\u00e1vel para MOCVD, PECVD<\/b>e sistemas de forno de alta pureza.<\/span><\/p>\n

Aplica\u00e7\u00f5es t\u00edpicas<\/b><\/b><\/span><\/h3>\n

Ind\u00fastria de semicondutores<\/b><\/span><\/p>\n

Placas transportadoras de MOCVD e bases suscetidas<\/span><\/p>\n

Cadinhos, an\u00e9is de guia e escudos t\u00e9rmicos em Crescimento do cristal SiC<\/b><\/span><\/p>\n

Aeroespacial e Defesa<\/b><\/span><\/p>\n

Isolamento de alta temperatura e componentes de barreira t\u00e9rmica<\/span><\/p>\n

Sistemas de energia<\/b><\/span><\/p>\n

Substratos moderadores de n\u00eautrons e componentes de suporte de alta carga sob condi\u00e7\u00f5es de v\u00e1cuo\/inerte<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/span><\/p>\n

\u00a0Personaliza\u00e7\u00e3o e pedidos<\/b><\/span><\/p>\n

\u00a0<\/span><\/h3>\n

Formas e dimens\u00f5es personalizadas dispon\u00edveis<\/span><\/p>\n

Espessura do revestimento e porosidade adaptada \u00e0s suas necessidades de processo<\/span><\/p>\n

Prototipagem r\u00e1pida e produ\u00e7\u00e3o de volume suportadas<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/span><\/p>\n

<\/b>Garantia de qualidade<\/b><\/b><\/span><\/h3>\n

Todas as placas s\u00e3o produzidas em sistemas compat\u00edveis com iso, usando precursores ultra-pura e reatores de grau CVD<\/b>\u00a0Para garantir uma qualidade consistente, ades\u00e3o repet\u00edvel de revestimento e integridade superior da superf\u00edcie.<\/span><\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\"Local <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
\n
\n
\n
\"Local <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
\n
\n
\n
\"Ware <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
\n
\n
\n
\n
\n
\n
\"M\u00e1quina <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
\n
\n
\n
\"Processamento <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n
\n
\n
\n
\"Nosso <\/img><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Placas de grafite porosas revestidas com o OurTAC projetadas para aplica\u00e7\u00f5es de alto desempenho em ambientes t\u00e9rmicos e qu\u00edmicos extremos. Combinando a resili\u00eancia leve e de alta temperatura da grafite porosa com um revestimento quimicamente depositado de carboneto (TAC) depositado de vapor (TAC), este produto oferece um equil\u00edbrio \u00fanico de resist\u00eancia mec\u00e2nica, resist\u00eancia a oxida\u00e7\u00e3o e estabilidade estrutural. Ideal para o crescimento do cristal SiC e ambientes semicondutores de grau<\/p>","protected":false},"featured_media":413,"comment_status":"closed","ping_status":"open","template":"","meta":[],"product_brand":[],"product_cat":[22,21],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-1299","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-porous-graphite","7":"product_cat-specialty-graphite","9":"first","10":"instock","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1299","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1299"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media\/413"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1299"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=1299"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=1299"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=1299"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}