{"id":2219,"date":"2025-09-11T05:33:27","date_gmt":"2025-09-11T05:33:27","guid":{"rendered":"https:\/\/weitai2.globaldeepsea.site\/product\/soi-wafers\/"},"modified":"2026-04-29T15:28:09","modified_gmt":"2026-04-29T07:28:09","slug":"soi-wafers","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/product\/soi-wafers\/","title":{"rendered":"Soi Wafers"},"content":{"rendered":"

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\"Soi<\/p>\n

Campo de aplica\u00e7\u00e3o<\/p>\n

1. Circuito integrado de alta velocidade<\/p>\n

2. Dispositivos de microondas<\/p>\n

3. Circuito integrado de alta temperatura<\/p>\n

4. Dispositivos de energia<\/p>\n

5. Circuito integrado de baixa pot\u00eancia<\/p>\n

6. Mems<\/p>\n

7. Circuito integrado de baixa tens\u00e3o<\/p>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
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Item<\/p>\n<\/td>\n

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Argumento<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Geral<\/p>\n<\/td>\n

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Di\u00e2metro da bolacha
晶圆尺寸(mm)<\/p>\n<\/td>\n

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50\/75\/100\/125\/150\/200mm±25um<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Arco\/urdidura
翘曲度(<um)<\/p>\n<\/td>\n

\n

<10um<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Part\u00edculas
颗粒度(<ea)<\/p>\n<\/td>\n

\n

0,3um <30ea<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Apartamentos\/entalhe
定位边\/定位槽<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plano ou entalhe<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Exclus\u00e3o de borda
边缘去除(mm)<\/p>\n<\/td>\n

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\/<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Camada de dispositivo
器件层<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tipo de camada de dispositivo\/dopante
器件层掺杂类型<\/p>\n<\/td>\n

\n

N-TYPE\/P-TYPE
B\/ P\/ SB\/ AS<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Orienta\u00e7\u00e3o da camada de dispositivo
器件层晶向<\/p>\n<\/td>\n

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\/ \/<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Espessura da camada de dispositivo
器件层厚度(um)<\/p>\n<\/td>\n

\n

0,1 ~ 300um<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Resistividade da camada de dispositivo
器件层电阻率(ohm•cm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

0,001 ~ 100.000 ohm-cm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Part\u00edculas da camada de dispositivo
器件层颗粒度(<ea)<\/p>\n<\/td>\n

\n

<30ea@0.3<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Camada de dispositivo TTV
器件层TTV(<um)<\/p>\n<\/td>\n

\n

<10um<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Acabamento da camada do dispositivo
器件层表面处理<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polido<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

CAIXA<\/p>\n<\/td>\n

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Espessura de \u00f3xido t\u00e9rmico enterrado
埋氧层厚度(um)<\/p>\n<\/td>\n

\n

50nm(500Å)~15um<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

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Manuseie a camada
衬底<\/p>\n<\/td>\n

\n

Manuseie o tipo de wafer\/dopante
衬底层类型<\/p>\n<\/td>\n

\n

N-TYPE\/P-TYPE
B\/ P\/ SB\/ AS<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Manuseie a orienta\u00e7\u00e3o da wafer
衬底晶向<\/p>\n<\/td>\n

\n

\/ \/<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Manuseie a resistividade da wafer
衬底电阻率(ohm•cm)<\/p>\n<\/td>\n

\n

0,001 ~ 100.000 ohm-cm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Manuseie a espessura da bolacha
衬底厚度(um)<\/p>\n<\/td>\n

\n

> 100um<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Manuseie o acabamento da wafer
衬底表面处理<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polido<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

As bolachas SOI das especifica\u00e7\u00f5es do destino podem ser personalizadas de acordo com os requisitos do cliente.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n

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\n
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\n

\"Processamento<\/p>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/p><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

<\/p>\n

A bolacha SOI \u00e9 uma estrutura semelhante a um sandu\u00edche com tr\u00eas camadas; Incluindo a camada superior (camada de dispositivo), o meio da camada de oxig\u00eanio enterrada (para a camada SiO2 isolante) e o substrato inferior (sil\u00edcio a granel). As bolachas SOI s\u00e3o produzidas usando o m\u00e9todo SIMOX e a tecnologia de liga\u00e7\u00e3o de wafer, que permite camadas mais finas e mais precisas, espessura uniforme e baixa densidade de defeitos.<\/p>","protected":false},"featured_media":963,"comment_status":"closed","ping_status":"open","template":"","meta":[],"product_brand":[],"product_cat":[41,26],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-2219","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-sol-wafer","7":"product_cat-wafer","9":"first","10":"instock","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2219","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2219"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media\/963"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2219"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2219"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2219"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cn-semiconductorparts.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2219"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}