2″ Подложки из оксида галлия

Name: High Quality 2″ Gallium Oxide Substrates Manufacturers
SKU: 0111

2-дюймовые подложки из оксида галлия. Оптимизируйте свои полупроводниковые устройства с помощью высококачественных 2-дюймовых подложек из оксида галлия от Semicera, разработанных для обеспечения превосходных характеристик в силовой электронике и УФ-приложениях.

Семицера рад предложить 2″ Подложки из оксида галлия , передовой материал, разработанный для повышения производительности современных полупроводниковых устройств. Эти подложки, изготовленные из оксида галлия (Ga₂O₃), имеют сверхширокую запрещенную зону, что делает их идеальным выбором для мощных, высокочастотных и УФ-оптоэлектронных приложений.

Ключевые особенности:

• Сверхширокая запрещенная зона : 2″ Подложки из оксида галлия обеспечивают выдающуюся ширину запрещенной зоны около 4,8 эВ, что позволяет работать при более высоких напряжениях и температурах, что намного превосходит возможности традиционных полупроводниковых материалов, таких как кремний.

• Исключительное напряжение пробоя : Эти подложки позволяют устройствам выдерживать значительно более высокие напряжения, что делает их идеальными для силовой электроники, особенно в высоковольтных приложениях.

• Отличная теплопроводность : Обладая превосходной термической стабильностью, эти подложки сохраняют стабильную производительность даже в экстремальных температурных условиях, что идеально подходит для приложений с высокой мощностью и высокими температурами.

• Высококачественный материал : 2″ Подложки из оксида галлия предлагают низкую плотность дефектов и высокое качество кристаллов, обеспечивая надежную и эффективную работу ваших полупроводниковых устройств.

• Универсальные приложения : Эти подложки подходят для широкого спектра применений, включая силовые транзисторы, диоды Шоттки и светодиодные устройства UV-C, предлагая надежную основу для силовых и оптоэлектронных инноваций.

Раскройте весь потенциал своих полупроводниковых устройств с помощью Semicera. 2″ Подложки из оксида галлия . Наши подложки созданы для удовлетворения растущих потребностей современных приложений, обеспечивая высокую производительность, надежность и эффективность. Выбирайте Semicera, чтобы получить новейшие полупроводниковые материалы, способствующие инновациям.

Предметы	Производство	Исследовать	Дурачок
Параметры кристалла
Политип	4H
Ошибка ориентации поверхности	<11-20 >4±0.15°
Электрические параметры
легирующая примочка	Азот n-типа
Удельное сопротивление	0,015-0,025 Ом·см
Механические параметры
Диаметр	150,0±0,2 мм
Толщина	350±25 мкм
Первичная плоская ориентация	[1-100]±5°
Первичная плоская длина	47,5±1,5 мм
Вторичная квартира	Никто
ТТВ	≤5 мкм	≤10 мкм	≤15 мкм
Общая ценность	≤3 мкм(5мм*5мм)	≤5 мкм(5мм*5мм)	≤10 мкм(5мм*5мм)
Поклон	-15 мкм ~ 15 мкм	-35 мкм ~ 35 мкм	-45 мкм ~ 45 мкм
Деформация	≤35 мкм	≤45 мкм	≤55 мкм
Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)	Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)
Структура
Плотность микротрубок	<1 шт./см2	<10 шт/см2	<15 шт/см2
Металлические примеси	≤5E10atoms/cm2		NA
БЛД	≤1500 шт/см2	≤3000 шт/см2	NA
ТСД	≤500 шт/см2	≤1000 шт/см2	NA
Переднее качество
Передний	Си
Чистота поверхности	Si-лицо CMP
Частицы	≤60 шт/пластина (размер ≥0,3 мкм)	NA
Царапины	≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр	Совокупная длина≤2*диаметр	NA
Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения	Никто		NA
Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины	Никто
Политипные области	Никто	Совокупная площадь≤20%	Совокупная площадь≤30%
Передняя лазерная маркировка	Никто
Назад Качество
Задняя отделка	C-образная грань CMP
Царапины	≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр	NA
Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)	Никто
Задняя шероховатость	Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)
Задняя лазерная маркировка	1 мм (от верхнего края)
Край
Край	Фаска
Упаковка
Упаковка	Эпи-готовность в вакуумной упаковке Многовафельная кассетная упаковка
*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные позиции могут относиться к SEMI-STD.