8-дюймовый токоприемник графитовой пластины с покрытием из карбида кремния

8-дюймовый графитовый токоприемник Semicera с покрытием SiC производится методом CVD для полупроводниковых высокотемпературных применений. Продукт отличается стабильной теплопроводностью, высокой устойчивостью к окислению и превосходной стойкостью к химической коррозии. Плотный и однородный слой SiC эффективно защищает графитовую основу от эрозии технологических газов, значительно продлевая срок службы в тяжелых условиях эксплуатации.

Он широко используется в MOCVD, CVD и других высокотемпературных системах эпитаксии и осаждения, обеспечивая стабильную поддержку пластин и равномерное распределение тепла. Разработанный для массового производства полупроводников и светодиодов, он обеспечивает стабильную производительность и высокую надежность процесса.

Описание

Покрытие CVD-SiC отличается однородной микроструктурой, плотной морфологией и превосходной стабильностью при высоких температурах. Он обеспечивает исключительную стойкость к окислению, высокую чистоту и высокую стойкость к кислотам, щелочам и органическим растворителям, обеспечивая стабильные физические и химические характеристики в суровых технологических условиях.

Для сравнения, графит высокой чистоты начинает окисляться примерно при 400 °С , что приводит к потерям материала из-за измельчения. Это не только вызывает загрязнение окружающего оборудования и вакуумных камер, но и увеличивает уровень примесей в производственных средах высокой чистоты.

Напротив, покрытия SiC остаются химически и физически стабильными примерно до 1600 °С , что значительно повышает долговечность и чистоту процесса. В результате компоненты с покрытием CVD-SiC широко используются в современных высокотемпературных промышленных приложениях, особенно в производстве полупроводников.

CFGNBHXF       СФГХБЗСФ

Основные характеристики

1. Графит высокой чистоты с покрытием SiC, чистота может достигать 99.99995%

2. Превосходная термостойкость и термическая однородность.

3. Мелкие кристаллы SiC с гладким покрытием.

4. Высокая стойкость к химической чистке.

Основные характеристики покрытий CVD-SIC:

SiC-CVD
Плотность (г/см3) 3.21
Прочность на изгиб (МПа) 470
Тепловое расширение (10-6/K) 4
Теплопроводность (Вт/мК) 300

 

Упаковка и доставка 

Возможность поставки:
10000 шт./шт. в месяц
Упаковка и доставка:
Упаковка: Стандартная и прочная упаковка
Полиэтиленовый пакет + коробка + коробка + поддон
Порт:
Нинбо/Шэньчжэнь/Шанхай
Время выполнения:

Количество (штук) 1 – 1000 >1000
Стандартное восточное время. Время (дни) 30 Для переговоров

Семицера Рабочее место 

Семицера рабочее место 2
Оборудование машины
Обработка CNN, химическая очистка, покрытие CVD
Склад Семицера
Наш сервис

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Новостная рассылка

С нетерпением ждем вашего контакта с нами