Focus CVD — это специальный метод химического осаждения из паровой фазы, в котором используются определенные условия реакции и параметры управления для достижения локализованного фокусного контроля осаждения материала. При подготовке фокусируемых колец SiC CVD зона фокуса относится к конкретной части кольцевой структуры, на которую будет нанесено основное напыление для формирования необходимой формы и размера.
Кольцо Focus CVD SiC представляет собой кольцевой материал из карбида кремния (SiC), изготовленный по технологии химического осаждения из паровой фазы Focus (Focus CVD).
Кольцо Focus CVD SiC обладает множеством превосходных эксплуатационных характеристик. Во-первых, он обладает высокой твердостью, высокой температурой плавления и превосходной устойчивостью к высоким температурам, а также может сохранять стабильность и структурную целостность в экстремальных температурных условиях. Во-вторых, кольцо Focus CVD SiC обладает превосходной химической стабильностью и коррозионной стойкостью, а также высокой устойчивостью к агрессивным средам, таким как кислоты и щелочи. Кроме того, он также обладает превосходной теплопроводностью и механической прочностью, что подходит для применения в условиях высокой температуры, высокого давления и агрессивных сред.
Кольцо Focus CVD SiC широко используется во многих областях. Его часто используют для термоизоляции и защиты высокотемпературного оборудования, такого как высокотемпературные печи, вакуумные устройства и химические реакторы. Кроме того, кольцо Focus CVD SiC также может использоваться в оптоэлектронике, производстве полупроводников, точном машиностроении и аэрокосмической отрасли, обеспечивая высокую устойчивость к воздействию окружающей среды и надежность.
✓Высочайшее качество на рынке Китая
✓Хороший сервис всегда для вас, 7*24 часа
✓Короткий срок поставки
✓Небольшой минимальный заказ приветствуется и принимается
✓Таможенные услуги
Эпитактический росторецептор
Пластины кремния/карбида кремния должны пройти множество процессов, прежде чем их можно будет использовать в электронных устройствах. Важным процессом является кремниевая/sic эпитаксия, при которой кремниевые/sic пластины наносятся на графитовую основу. К особым преимуществам графитовой основы Semicera, покрытой карбидом кремния, относятся чрезвычайно высокая чистота, равномерное покрытие и чрезвычайно длительный срок службы. Они также обладают высокой химической стойкостью и термической стабильностью.
Производство светодиодных чипов
Во время обширного покрытия MOCVD-реактора планетарное основание или носитель перемещает пластину-подложку. Характеристики основного материала оказывают большое влияние на качество покрытия, что, в свою очередь, влияет на процент брака стружки. Основание Semicera с покрытием из карбида кремния повышает эффективность производства высококачественных светодиодных пластин и минимизирует отклонение длины волны. Мы также поставляем дополнительные графитовые компоненты для всех используемых в настоящее время реакторов MOCVD. Мы можем покрыть практически любой компонент покрытием из карбида кремния, даже если диаметр компонента составляет до 1,5 м, мы все равно можем покрыть карбидом кремния.
Полупроводниковая область, процесс диффузии окисления , И т. д.
В полупроводниковом производстве процесс окислительного расширения требует высокой чистоты продукта, и в Semicera мы предлагаем услуги по индивидуальному заказу и нанесению CVD-покрытия для большинства деталей из карбида кремния.
На следующем рисунке показана суспензия карбида кремния грубой обработки компании Semicea и труба печи из карбида кремния, очищенная в 100 0 -уровень без пыли комната. Наши работники работают перед нанесением покрытия. Чистота нашего карбида кремния может достигать 99,99%, а чистота карбида кремния превышает 99,99995%. .
