Semicera является профессиональным поставщиком современных керамических компонентов для полупроводникового и высокотемпературного промышленного применения. Наш Лодочка из рекристаллизованного карбида кремния (R-SiC) большого размера предназначен для стабильной загрузки и транспортировки пластин в процессах диффузии, окисления и печи LPCVD.
Изготовленный из рекристаллизованного карбида кремния высокой чистоты, он обеспечивает превосходную термическую стабильность, высокую прочность, коррозионную стойкость и длительный срок службы, что делает его пригодным для требовательных высокотемпературных сред в производстве полупроводников.
Семицера Рекристаллизованный карбид кремния (R-SiC) представляет собой высокоэффективный керамический материал, полученный в результате высокотемпературной обработки, указанной выше. 2000°С . Он сохраняет ключевые преимущества карбида кремния, включая превосходную стойкость к высоким температурам, коррозионную стойкость, стойкость к окислению и стойкость к термическому удару.
Благодаря стабильной структуре и безусадочному процессу спекания из R-SiC можно изготавливать сложные и высокоточные компоненты с длительным сроком службы и надежной работой в суровых рабочих условиях.
Semicera R-SiC широко используется в деталях полупроводниковых печей, таких как пластинчатые лодочки, токоприемники и несущие конструкции, а также в других высокотемпературных промышленных применениях.
R-SiC представляет собой высокоэффективный керамический материал, изготовленный путем высокотемпературной обработки выше 2000°C. Он сохраняет большинство превосходных свойств карбида кремния, таких как устойчивость к высоким температурам, коррозионная стойкость, стойкость к окислению и хорошая стойкость к термическому удару.
1. Хорошая механическая прочность.
R-SiC обладает высокой прочностью и жесткостью и может сохранять стабильные характеристики даже при высоких температурах и суровых условиях работы. Он также обладает хорошей ударопрочностью, его нелегко сломать или деформировать во время использования.
2. Сильная коррозионная стойкость
Он может противостоять большинству кислот, щелочей и агрессивных газов. Даже при длительном использовании в агрессивных химических средах он сохраняет стабильную работу и его нелегко повредить.
3. Отличная термическая стабильность.
R-SiC может выдерживать быстрые изменения температуры без растрескивания. Он хорошо работает в высокотемпературных процессах и повторяющихся циклах нагрева и охлаждения.
4. Отсутствие усадки при спекании.
В процессе рекристаллизации материал не дает усадки, поэтому внутренние напряжения практически отсутствуют. Это помогает предотвратить деформацию или растрескивание и позволяет производить сложные и высокоточные детали.
|
Материал |
R-SiC |
|
Рабочая температура ( ° С) |
1600°С ( Окислительная среда) 1700°С ( Уменьшение окружающей среды) |
|
Содержание SiC (%) |
> 99 |
|
Содержание свободного Si (%) |
< 0.1 |
|
Насыпная плотность (г/см3) |
2.60-2.70 |
|
Кажущаяся пористость (%) |
< 16 |
|
Прочность на раздавливание (МПа) |
> 600 |
|
Прочность на холодный изгиб (МПа) |
80-90 (20°С) |
|
Прочность на горячий изгиб (МПа) |
90-100 (1400°С) |
|
Коэффициент теплового расширения при 1500°C (10-6/°C) |
4.70 |
|
Теплопроводность @ 1200 ° C (Вт/м • К) |
23 |
|
Модуль упругости (ГПа) |
240 |
|
Устойчивость к термическому удару |
Очень хорошо |
