Лопатка Semicera из карбида кремния высокой чистоты разработана для современных полупроводниковых применений и обеспечивает превосходную термическую стабильность и механическую прочность. Эта лопатка из карбида кремния обеспечивает точную обработку пластин, что делает ее идеальным выбором для высокотемпературных сред. Свяжитесь с нами для запросов!
Лопатка Semicera из карбида кремния высокой чистоты тщательно разработана с учетом строгих требований современных процессов производства полупроводников. Эта консольная лопатка из карбида кремния превосходно работает в условиях высоких температур, обеспечивая непревзойденную термическую стабильность и механическую долговечность. Консольная конструкция SiC рассчитана на экстремальные условия и обеспечивает надежную работу с пластинами в различных процессах.
Одной из ключевых инноваций SiC Paddle является его легкая, но прочная конструкция, которая позволяет легко интегрировать его в существующие системы. Его высокая теплопроводность помогает поддерживать стабильность пластин на критических этапах, таких как травление и осаждение, сводя к минимуму риск повреждения пластин и обеспечивая более высокий выход продукции. Использование карбида кремния высокой плотности в конструкции лопасти повышает ее устойчивость к износу, обеспечивая длительный срок службы и снижая необходимость частой замены.
Semicera уделяет большое внимание инновациям, предлагая консольные лопатки из карбида кремния, которые не только соответствуют отраслевым стандартам, но и превосходят их. Эта лопатка оптимизирована для использования в различных полупроводниковых приложениях, от осаждения до травления, где точность и надежность имеют решающее значение. Интегрируя эту передовую технологию, производители могут рассчитывать на повышение эффективности, снижение затрат на техническое обслуживание и стабильное качество продукции.
|
Физические свойства рекристаллизованного карбида кремния |
|
|
Свойство |
Типичное значение |
|
Рабочая температура (°С) |
1600°С (с кислородом), 1700°С (восстановительная среда) |
|
содержание карбида кремния |
> 99.96% |
|
Бесплатный Si-контент |
< 0.1% |
|
Объемная плотность |
2,60-2,70 г/см 3 |
|
Кажущаяся пористость |
< 16% |
|
Сила сжатия |
> 600 МПа |
|
Прочность на холодный изгиб |
80-90 МПа (20°С) |
|
Прочность на горячий изгиб |
90-100 МПа (1400°С) |
|
Тепловое расширение при 1500°C |
4.70 10 -6 /°С |
|
Теплопроводность при 1200°C |
23 Вт/м•К |
|
Модуль упругости |
240 ГПа |
|
Устойчивость к термическому удару |
Очень хорошо |