Решения Semicera InP и CdTe Substrate предназначены для высокопроизводительных приложений в полупроводниковой и солнечной энергетике. Наши подложки InP (фосфид индия) и CdTe (теллурид кадмия) обладают исключительными свойствами материала, включая высокую эффективность, отличную электропроводность и надежную термическую стабильность. Эти подложки идеально подходят для использования в современных оптоэлектронных устройствах, высокочастотных транзисторах и тонкопленочных солнечных элементах, обеспечивая надежную основу для передовых технологий.
С Semicera Подложка InP и CdTe , вы можете рассчитывать на превосходное качество и точность, отвечающие конкретным потребностям ваших производственных процессов. Будь то фотоэлектрические приложения или полупроводниковые устройства, наши подложки созданы для обеспечения оптимальной производительности, долговечности и стабильности. Являясь надежным поставщиком, Semicera стремится поставлять высококачественные, настраиваемые решения для подложек, которые способствуют инновациям в секторах электроники и возобновляемых источников энергии.
|
Тип
|
легирующая примочка
|
ЭПД（см –2 ）(См. ниже А.)
|
DF (без дефектов) площадь (см) 2 , См. ниже Б.）
|
с/（с см –3 ）
|
Мобильность（у см 2 /Против)
|
Сопротивление (йОм・см)
|
|
n
|
Сн
|
≦5×10 4
≦1×10 4
≦5×103
|
──────
|
（0,5〜6）×10 18
|
──────
|
──────
|
|
n
|
S
|
──────
|
≧ 10（59.4%）
≧ 15（87%）.4
|
（2〜10）×10 18
|
──────
|
──────
|
| p |
Зн
|
──────
|
≧ 10（59.4%）
≧ 15（87%）.
|
（3〜6）×10 18
|
──────
|
──────
|
|
СИ
|
Фе
|
≦5×10 4
≦1×10 4
|
──────
|
──────
|
──────
|
≧ 1×10 6
|
|
n
|
никто
|
≦5×10 4
|
──────
|
≦1×10 16
|
≧ 4×10 3
|
──────
|
