Semicera предлагает полный ассортимент высокопроизводительных токоприемников и графитовых компонентов для широкого спектра платформ эпитаксионных реакторов.
Используя тесное сотрудничество с ведущими производителями оборудования, глубокий опыт в области современных материалов и новейшие производственные технологии, мы разрабатываем индивидуальные решения, адаптированные к уникальным требованиям каждого применения. Наше внимание к качеству, точности и надежности позволяет нам предоставлять клиентам оптимизированные компоненты, которые повышают производительность и эффективность эпитаксиального процесса.
Наша компания специализируется на предоставлении услуг по нанесению CVD SiC на графит, керамику и другие материалы подложек. В процессе химического осаждения из паровой фазы (CVD) газы-прекурсоры, содержащие кремний и углерод, реагируют при повышенных температурах с образованием карбида кремния (SiC) высокой чистоты. Полученный SiC равномерно осаждается на поверхность подложки, образуя плотное и высокозащитное покрытие SiC, которое повышает коррозионную стойкость, износостойкость и работоспособность при высоких температурах.
1. Графит высокой чистоты с покрытием SiC, чистота может достигать 99.99995%
2. Превосходная термостойкость и термическая однородность.
3. Мелкие кристаллы SiC с гладким покрытием.
4. Высокая стойкость к химической чистке.
| Свойства SiC-CVD | ||
| Кристаллическая структура | FCC β-фаза | |
| Плотность | г/см³ | 3.21 |
| Твердость | Твердость по Виккерсу | 2500 |
| Размер зерна | мм | 2~10 |
| Химическая чистота | % | 99.99995 |
| Теплоемкость | Дж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Температура сублимации | ℃ | 2700 |
| Фелексуральная сила | МПа (RT 4-точечный) | 415 |
| Модуль Юнга | Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃) | 430 |
| Тепловое расширение (КТР) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Теплопроводность | (Вт/мК) | 300 |
