Semicera Semiconductor Technology Co., Ltd. является ведущим поставщиком современной полупроводниковой керамики. Наша основная продукция включает в себя: диски из карбида кремния, прицепы для лодок из карбида кремния, кораблики из карбида кремния (PV и полупроводники), печные трубы из карбида кремния, консольные лопасти из карбида кремния, патрон из карбида кремния, балки из карбида кремния, а также покрытия CVD SiC и покрытия TaC. Продукты в основном используются в полупроводниковой и фотоэлектрической промышленности, такой как выращивание кристаллов, эпитаксия, травление, упаковка, покрытие. и диффузионное печное оборудование.
Наша компания предоставляет услуги по нанесению покрытия SiC методом CVD на поверхность графита, керамики и других материалов, так что специальные газы, содержащие углерод и кремний, реагируют при высокой температуре с получением молекул SiC высокой чистоты, молекулы осаждаются на поверхности материалов с покрытием, образуя защитный слой SIC.
1. Устойчивость к высокотемпературному окислению:
стойкость к окислению остается очень хорошей при температуре до 1600 C.
2. Высокая чистота: производится методом химического осаждения из паровой фазы в условиях высокотемпературного хлорирования.
3. Устойчивость к эрозии: высокая твердость, компактная поверхность, мелкие частицы.
4. Коррозионная стойкость: кислоты, щелочи, соли и органические реагенты.
|
Свойства SiC-CVD |
||
| Кристаллическая структура | FCC β-фаза | |
| Плотность | г/см³ | 3.21 |
| Твердость | Твердость по Виккерсу | 2500 |
| Размер зерна | мм | 2~10 |
| Химическая чистота | % | 99.99995 |
| Теплоемкость | Дж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Температура сублимации | ℃ | 2700 |
| Фелексуральная сила | МПа (RT 4-точечный) | 415 |
| Модуль Юнга | Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃) | 430 |
| Тепловое расширение (КТР) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Теплопроводность | (Вт/мК) | 300 |
