Карбид кремния Керамический эффектор для переноса пластин в различных полупроводниковых процессах

Name: China silicon carbide Ceramic effector for the transfer of wafers in various semiconductor processes Factory
SKU: 0985

керамический механический рычаг из карбида кремния (SiC) изготавливается методом изостатического прессования и высокотемпературного спекания. Это обеспечивает плотную структуру, высокую прочность и отличную стабильность размеров.

В соответствии с чертежами заказчика изделие может быть точно обработано с точки зрения габаритных размеров, толщины и формы в соответствии с конкретными требованиями применения. Он подходит для высокоточного оборудования для обработки пластин и полупроводникового оборудования.

Карбид кремния Керамический эффектор для переноса пластин в различных полупроводниковых процессах

Характеристики и преимущества

Высокая точность размеров и термическая стабильность
Сохраняет точные размеры даже в условиях высоких температур, обеспечивая стабильную работу в полупроводниковых процессах.
Высокая жесткость и превосходная термическая однородность
Высокая удельная жесткость предотвращает длительный изгиб или деформацию, обеспечивая надежную и повторяемую работу.
Гладкая поверхность и износостойкость
Чистая поверхность с превосходной износостойкостью, позволяющая безопасно обращаться с пластинами и снижающая загрязнение частицами.
Контролируемое электрическое сопротивление (ESD-безопасность)
Карбид кремния имеет удельное сопротивление 10⁶–10⁸ Ом, немагнитен, отвечает требованиям антистатики (ESD) и предотвращает накопление заряда на поверхностях пластин.
Хорошая теплопроводность и низкое тепловое расширение.
Эффективное рассеивание тепла в сочетании с низким коэффициентом расширения обеспечивает стабильную работу в условиях термоциклирования.

Эффектор руки робота