Semicera Energy Technology Co., Ltd. — ведущий поставщик, специализирующийся на пластинах и современных полупроводниковых расходных материалах. Мы стремимся предоставлять высококачественную, надежную и инновационную продукцию для производства полупроводников, фотоэлектрической промышленности и других смежных областей. Наша линейка продуктов включает в себя графитовые изделия с покрытием SiC/TaC и керамические изделия, включающие различные материалы, такие как карбид кремния, нитрид кремния, оксид алюминия и т. д. В настоящее время мы являемся единственным производителем, обеспечивающим чистоту покрытия SiC 99,9999% и рекристаллизованного карбида кремния 99,9%. Максимальная длина покрытия SiC, которую мы можем сделать, составляет 2640 мм.
Монокристаллический материал карбида кремния (SiC) имеет большую ширину запрещенной зоны (~Si в 3 раза), высокую теплопроводность (~Si в 3,3 раза или GaAs в 10 раз), высокую скорость миграции электронного насыщения (~Si в 2,5 раза), сильное электрическое поле пробоя (~Si в 10 раз или GaAs в 5 раз) и другие выдающиеся характеристики.
Устройства SiC обладают незаменимыми преимуществами в области высоких температур, высокого давления, высокой частоты, мощных электронных устройств и экстремальных условий окружающей среды, таких как аэрокосмическая, военная, ядерная энергетика и т. д., компенсируют недостатки традиционных устройств из полупроводниковых материалов в практических приложениях и постепенно становятся основным направлением силовых полупроводников.
Характеристики подложки из карбида кремния 4H-SiC
|
Элемент |
Технические характеристикиПараметры |
|
|
Политип |
4H-SiC |
6H-SiC |
|
Диаметр |
2 дюйма | 3 дюйма | 4 дюйма | 6 дюймов |
2 дюйма | 3 дюйма | 4 дюйма | 6 дюймов |
|
Толщина |
330 мкм ~ 350 мкм |
330 мкм ~ 350 мкм |
|
Проводимость |
Н – тип / Полуизолирующий |
Н – тип / Полуизолирующий |
|
легирующая примочка |
N2 (Азот)V (Ванадий) |
N2 (Азот) V (Ванадий) |
|
Ориентация |
По оси <0001> |
По оси <0001> |
|
Удельное сопротивление |
0,015 ~ 0,03 Ом-см |
0,02 ~ 0,1 Ом-см |
|
Плотность микротруб (MPD) |
≤10/см2 ~ ≤1/см2 |
≤10/см2 ~ ≤1/см2 |
|
ТТВ |
≤ 15 мкм |
≤ 15 мкм |
|
Лук/Деформация |
≤25 мкм |
≤25 мкм |
|
Поверхность |
ЦСП/ССП |
ЦСП/ССП |
|
Оценка |
Производственный/Исследовательский уровень |
Производственный/Исследовательский уровень |
|
Последовательность укладки кристаллов |
АВСВ |
АВСАВС |
|
Параметр решетки |
а=3,076А, с=10,053А |
а=3,073А, с=15,117А |
|
Например,/эВ (зона запрещенной зоны) |
3,27 эВ |
3,02 эВ |
|
ε (диэлектрическая проницаемость) |
9.6 |
9.66 |
|
Индекс преломления |
n0 =2,719 ne =2,777 |
n0 =2,707, ne =2,755 |
Характеристики подложки из карбида кремния 6H-SiC
|
Элемент |
Технические характеристикиПараметры |
|
Политип |
6H-SiC |
|
Диаметр |
4 дюйма | 6 дюймов |
|
Толщина |
350 мкм ~ 450 мкм |
|
Проводимость |
Н – тип / Полуизолирующий |
|
легирующая примочка |
N2(Азот) |
|
Ориентация |
<0001> выкл. 4°± 0,5° |
|
Удельное сопротивление |
0,02 ~ 0,1 Ом-см |
|
Плотность микротруб (MPD) |
≤ 10/cm2 |
|
ТТВ |
≤ 15 мкм |
|
Лук/Деформация |
≤25 мкм |
|
Поверхность |
Si Face: CMP, Epi-Ready |
|
Оценка |
Уровень исследования |
