Силиконовая пленка Semicera — это высокоэффективный материал, разработанный для различных передовых применений в полупроводниковой и электронной промышленности. Эта пленка, изготовленная из высококачественного кремния, обеспечивает исключительную однородность, термическую стабильность и электрические свойства, что делает ее идеальным решением для осаждения тонких пленок, MEMS (микроэлектромеханических систем) и производства полупроводниковых приборов.
Силиконовая пленка Semicera — это высококачественный, прецизионный материал, разработанный с учетом строгих требований полупроводниковой промышленности. Изготовленное из чистого кремния, это тонкопленочное решение обеспечивает превосходную однородность, высокую чистоту и исключительные электрические и термические свойства. Он идеально подходит для использования в различных полупроводниковых приложениях, включая производство Si-подложек, SiC-подложек, SOI-подложек, SiN-подложек и Epi-подложек. Силиконовая пленка Semicera обеспечивает надежную и стабильную работу, что делает ее важным материалом для современной микроэлектроники.
Превосходное качество и производительность для производства полупроводников
Кремниевая пленка Semicera известна своей выдающейся механической прочностью, высокой термической стабильностью и низким уровнем дефектов, которые имеют решающее значение в производстве высокопроизводительных полупроводников. Независимо от того, используется ли пленка в производстве устройств на основе оксида галлия (Ga2O3), пластин AlN или эпитаксиальных пластин, она обеспечивает прочную основу для осаждения тонких пленок и эпитаксиального роста. Его совместимость с другими полупроводниковыми подложками, такими как SiC Substrate и SOI Wafers, обеспечивает плавную интеграцию в существующие производственные процессы, помогая поддерживать высокую производительность и стабильное качество продукции.
Применение в полупроводниковой промышленности
В полупроводниковой промышленности кремниевая пленка Semicera используется в широком спектре применений: от производства кремниевых пластин и пластин SOI до более специализированных применений, таких как SiN-подложка и создание эпи-вафель. Высокая чистота и точность этой пленки делают ее незаменимой при производстве современных компонентов, используемых во всем: от микропроцессоров и интегральных схем до оптоэлектронных устройств.
Кремниевая пленка играет решающую роль в полупроводниковых процессах, таких как эпитаксиальный рост, соединение пластин и осаждение тонких пленок. Его надежные свойства особенно ценны для отраслей, где требуется строго контролируемая среда, например, в чистых помещениях на заводах по производству полупроводников. Кроме того, силиконовую пленку можно интегрировать в кассетные системы для эффективной обработки и транспортировки пластин во время производства.
Долгосрочная надежность и стабильность
Одним из ключевых преимуществ использования силиконовой пленки Semicera является ее долговременная надежность. Благодаря своей превосходной долговечности и стабильному качеству эта пленка представляет собой надежное решение для крупносерийного производства. Независимо от того, используется ли кремниевая пленка Semicera в высокоточных полупроводниковых устройствах или передовых электронных приложениях, производители могут достичь высокой производительности и надежности в широком спектре продуктов.
Почему стоит выбрать силиконовую пленку Semicera?
Силиконовая пленка от Semicera является важным материалом для передовых приложений в полупроводниковой промышленности. Его высокие эксплуатационные свойства, в том числе превосходная термическая стабильность, высокая чистота и механическая прочность, делают его идеальным выбором для производителей, стремящихся достичь самых высоких стандартов в производстве полупроводников. От кремниевой пластины и SiC-подложки до производства устройств на основе оксида галлия Ga2O3 — эта пленка обеспечивает непревзойденное качество и производительность.
Силиконовая пленка Semicera позволяет вам доверять продукту, который отвечает потребностям современного производства полупроводников и обеспечивает надежную основу для следующего поколения электроники.
|
Предметы |
Производство |
Исследовать |
Дурачок |
|
Параметры кристалла |
|||
|
Политип |
4H |
||
|
Ошибка ориентации поверхности |
<11-20 >4±0.15° |
||
|
Электрические параметры |
|||
|
легирующая примочка |
Азот n-типа |
||
|
Удельное сопротивление |
0,015-0,025 Ом·см |
||
|
Механические параметры |
|||
|
Диаметр |
150,0±0,2 мм |
||
|
Толщина |
350±25 мкм |
||
|
Первичная плоская ориентация |
[1-100]±5° |
||
|
Первичная плоская длина |
47,5±1,5 мм |
||
|
Вторичная квартира |
Никто |
||
|
ТТВ |
≤5 мкм |
≤10 мкм |
≤15 мкм |
|
Общая ценность |
≤3 мкм(5мм*5мм) |
≤5 мкм(5мм*5мм) |
≤10 мкм(5мм*5мм) |
|
Поклон |
-15 мкм ~ 15 мкм |
-35 мкм ~ 35 мкм |
-45 мкм ~ 45 мкм |
|
Деформация |
≤35 мкм |
≤45 мкм |
≤55 мкм |
|
Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM) |
Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) |
||
|
Структура |
|||
|
Плотность микротрубок |
<1 шт./см2 |
<10 шт/см2 |
<15 шт/см2 |
|
Металлические примеси |
≤5E10atoms/cm2 |
NA |
|
|
БЛД |
≤1500 шт/см2 |
≤3000 шт/см2 |
NA |
|
ТСД |
≤500 шт/см2 |
≤1000 шт/см2 |
NA |
|
Переднее качество |
|||
|
Передний |
Си |
||
|
Чистота поверхности |
Si-лицо CMP |
||
|
Частицы |
≤60 шт/пластина (размер ≥0,3 мкм) |
NA |
|
|
Царапины |
≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр |
Совокупная длина≤2*диаметр |
NA |
|
Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения |
Никто |
NA |
|
|
Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины |
Никто |
||
|
Политипные области |
Никто |
Совокупная площадь≤20% |
Совокупная площадь≤30% |
|
Передняя лазерная маркировка |
Никто |
||
|
Назад Качество |
|||
|
Задняя отделка |
C-образная грань CMP |
||
|
Царапины |
≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр |
NA |
|
|
Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям) |
Никто |
||
|
Задняя шероховатость |
Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) |
||
|
Задняя лазерная маркировка |
1 мм (от верхнего края) |
||
|
Край |
|||
|
Край |
Фаска |
||
|
Упаковка |
|||
|
Упаковка |
Эпи-готовность в вакуумной упаковке Многовафельная кассетная упаковка |
||
|
*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD. |
|||



