Твердые кольца CVD SiC в основном состоят из карбида кремния (SiC) и обладают превосходными физическими и химическими свойствами. Карбид кремния — это керамический материал с высокой температурой плавления, высокой твердостью и отличной коррозионной стойкостью. Он демонстрирует превосходную теплопроводность, химическую стабильность и механическую прочность при высоких температурах, а также превосходную стойкость к износу и истиранию.
Твердые кольца CVD SiC широко используются в промышленных и научных областях в условиях высоких температур, агрессивных и абразивных сред. Он играет важную роль во многих областях применения, в том числе:
1. Производство полупроводников. Твердые кольца CVD SiC можно использовать для нагрева и охлаждения полупроводникового оборудования, обеспечивая стабильный контроль температуры для обеспечения точности и постоянства процесса.
2. Оптоэлектроника. Благодаря превосходной теплопроводности и устойчивости к высоким температурам кольца Solid CVD SiC могут использоваться в качестве опорных и теплоотводящих материалов для лазеров, волоконно-оптического оборудования связи и оптических компонентов.
3. Прецизионное оборудование. Твердые кольца CVD SiC можно использовать для прецизионных инструментов и оборудования, работающих в высокотемпературных и агрессивных средах, таких как высокотемпературные печи, вакуумные устройства и химические реакторы.
4. Химическая промышленность: Твердые кольца CVD SiC могут использоваться в контейнерах, трубах и реакторах в химических реакциях и каталитических процессах благодаря их коррозионной стойкости и химической стабильности.
✓Высочайшее качество на рынке Китая
✓Хороший сервис всегда для вас, 7*24 часа
✓Короткий срок поставки
✓Небольшой минимальный заказ приветствуется и принимается
✓Таможенные услуги
Эпитаксия, рецептор роста
Пластины кремния/карбида кремния должны пройти множество процессов, прежде чем их можно будет использовать в электронных устройствах. Важным процессом является кремниевая/sic эпитаксия, при которой кремниевые/sic пластины наносятся на графитовую основу. К особым преимуществам графитовой основы Semicera, покрытой карбидом кремния, относятся чрезвычайно высокая чистота, равномерное покрытие и чрезвычайно длительный срок службы. Они также обладают высокой химической стойкостью и термической стабильностью.
Производство светодиодных чипов
Во время обширного покрытия MOCVD-реактора планетарное основание или носитель перемещает пластину-подложку. Характеристики основного материала оказывают большое влияние на качество покрытия, что, в свою очередь, влияет на процент брака стружки. Основание Semicera с покрытием из карбида кремния повышает эффективность производства высококачественных светодиодных пластин и минимизирует отклонение длины волны. Мы также поставляем дополнительные графитовые компоненты для всех используемых в настоящее время реакторов MOCVD. Мы можем покрыть практически любой компонент покрытием из карбида кремния, даже если диаметр компонента составляет до 1,5 м, мы все равно можем покрыть карбидом кремния.
Полупроводниковая область, процесс диффузии окисления , И т. д.
В полупроводниковом производстве процесс окислительного расширения требует высокой чистоты продукта, и в Semicera мы предлагаем услуги по индивидуальному заказу и нанесению CVD-покрытия для большинства деталей из карбида кремния.
На следующем рисунке показана суспензия карбида кремния грубой обработки компании Semicea и труба печи из карбида кремния, очищенная в 100 0 -уровень без пыли комната. Наши работники работают перед нанесением покрытия. Чистота нашего карбида кремния может достигать 99,99%, а чистота карбида кремния превышает 99,99995%. .
