Пластинчатые лодочки являются ключевыми компонентами в процессе производства полупроводников. Компания Semiera может предоставить пластинчатые лодочки, специально разработанные и изготовленные для процессов диффузии, которые играют жизненно важную роль в производстве высокоинтегральных схем. Мы твердо стремимся предоставлять продукцию высочайшего качества по конкурентоспособным ценам и надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Устойчивость к высокотемпературному окислению
Отличная устойчивость к коррозии
Хорошая стойкость к истиранию
Высокий коэффициент теплопроводности
Самосмазывающая способность, низкая плотность
Высокая твердость
Индивидуальный дизайн.
-Износостойкая область: втулка, пластина, пескоструйная насадка, циклонная подкладка, шлифовальный цилиндр и т. д.…
-Высокотемпературное поле: плита из карбида кремния, трубка закалочной печи, радиационная трубка, тигель, нагревательный элемент, ролик, балка, теплообменник, труба холодного воздуха, сопло горелки, защитная трубка термопары, лодочка из карбида кремния, конструкция тележки печи, сеттер и т. д.
-Полупроводник из карбида кремния: лодочка для пластин SiC, патрон, лопатка, кассета, диффузионная трубка, вилка для пластин, присоска, направляющая и т. д.
-Область уплотнений из карбида кремния: все виды уплотнительных колец, подшипников, втулок и т. д.
-Фотоэлектрическое поле: консольная лопасть, шлифовальный барабан, ролик из карбида кремния и т. д.
-Литиевая батарея Поле
| Свойство | Ценить | Метод |
| Плотность | 3,21 г/см3 | Раковина-поплавок и размер |
| Удельная теплоемкость | 0,66 Дж/г °К | Импульсная лазерная вспышка |
| Прочность на изгиб | 450 МПа560 МПа | 4-точечный изгиб, RT4-точечный изгиб, 1300° |
| Вязкость разрушения | 2,94 МПа м1/2 | Микроиндентирование |
| Твердость | 2800 | Викерс, загрузка 500г. |
| Модуль упругости Модуль Юнга | 450 ГПа430 ГПа | 4-точечный изгиб, RT4-точечный изгиб, 1300 °C |
| Размер зерна | 2 – 10 мкм | СЭМ |
| Теплопроводность | 250 Вт/м °К | Метод лазерной вспышки, RT |
| Тепловое расширение (КТР) | 4,5 х 10-6 °К | Комнатная температура до 950 °C, кварцевый дилатометр |
| Элемент | Единица | Данные | ||||
| РБСиК (SiSiC) | НБСиК | ССиК | РСиК | ОСиК | ||
| содержание карбида кремния | % | 85 | 75 | 99 | 99.9 | ≥99 |
| Бесплатное содержание кремния | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Максимальная рабочая температура | ℃ | 1380 | 1450 | 1650 | 1620 | 1400 |
| Плотность | г/см3 | 3.02 | 2.75-2.85 | 3.08-3.16 | 2.65-2.75 | 2.75-2.85 |
| Открытая пористость | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
| Прочность на изгиб 20℃ | Мпа | 250 | 160 | 380 | 100 | / |
| Прочность на изгиб 1200℃ | Мпа | 280 | 180 | 400 | 120 | / |
| Модуль упругости 20℃ | средний балл | 330 | 580 | 420 | 240 | / |
| Модуль упругости 1200℃ | средний балл | 300 | / | / | 200 | / |
| Теплопроводность 1200℃ | Вт/мК | 45 | 19.6 | 100-120 | 36.6 | / |
| Коэффициент теплового расширения | K-1X10-6 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4.69 | / |
| ВН | кг/мm2 | 2115 | / | 2800 | / | / |
Покрытие CVD из карбида кремния на внешней поверхности керамических изделий из рекристаллизованного карбида кремния может достигать чистоты более 99,9999% для удовлетворения потребностей клиентов в полупроводниковой промышленности.
