شركة SC Coating Graphite Wafer Susceptor for MOCVD Epitaxial Growth

تطبيقات المنتجات

1. تصنيع المواد الكيميائية

   • Ideal for epitaxial deposition of GaN, SiC, and III-V compound semiconductors.

   • Critical for producing high-performance LEDs, RF devices, and power electronics.

2. البحث والتطوير

   • مؤمنة من المختبرات لدراسات مادية متطورة وشبه موصل من الجين التالي.

3. MOCVD النظم

   • Compatible with leading MOCVD equipment for mass production of optoelectronic components.

المزايا الرئيسية

1. المدة غير المطابقة

   • ويعزز هذا التغليف مقاومة الصدمة الحرارية، والتآكل الكيميائي، والملابس الميكانيكية، حيث يمتد عمر الخدمة بمقدار 3x مقارنة بمستحضرات الغرافيت التقليدية.

2. التوحيد الحراري الخارق

   • تم تصميمه لتوحيد درجة الحرارة 1.5% عبر سطح الرقاقة ، مما يقلل من العيوب في الطبقات المودعة.

3. درجة الحرارة العالية

   • يعمل بسلاسة في درجات حرارة تصل إلى 1800 درجة مئوية ، مع الحفاظ على السلامة الهيكلية في بيئات MOCVD القاسية.

4. كفاءة التكلفة

   • ويقلل من تكاليف التعطل وتكاليف الاستبدال بفضل استمرارية العمل المطول والأداء المتسق.

المنتجات

1. تركيبة مواد المرحلة التمهيدية

   • يجمع بين الغرافيت الأيزوتية العالية النقاء مع كثيفة وخالية من العيوب من السي سي سي سي سي سي سي سي سي سي سي كي يُمثل المقاومة الحرارية والكيميائية.

2. التصميمات العرفية

   • Available in tailored geometries (e.g., pancake, spiritual, horizontal) to fit diverse reactor formations.

3. الهندسة الدقيقة

   • يضمن الانتهاء من السطح الفائق (<0.5 ميكرومتر RA) الحد الأدنى من تلوث الجسيمات أثناء الترسب.

4. الاستجابة السريعة الحرارية

   • ويؤدي تدني التصاميم الحرارية إلى تسريع دورات التدفئة/التدفئة، وتعزيز كفاءة العمليات.

لماذا تشوس سيميكيرا؟?

• الخبرة الصناعية: مدعومة بـ 15+ سنة من الخبرة في إيجاد حلول سيرامية متقدمة لتطبيقات شبه الموصلات.

• ضمان الجودة: الاختبارات الروتينية بموجب البروتوكولات المصدق عليها من قبل المنظمة الدولية لتوحيد المقاييس تضمن اتساق الأداء.

• الدعم العالمي: Dedicated technical team available for custom solutions and rapid delivery.