6 Inch N-type SiC Wafer

Semicera’s 6 Inch N-type SiC Wafer offers outstanding thermal conductivity and high electric field strength, making it a superior choice for power and RF devices. This wafer, tailored to meet industry demands, exemplifies Semicera’s commitment to quality and innovation in semiconductor materials.

Semicera’s 6 Inch N-type SiC Wafer stands at the forefront of semiconductor technology. Crafted for optimal performance, this wafer excels in high-power, high-frequency, and high-temperature applications, essential for advanced electronic devices.

Our 6 Inch N-type SiC wafer features high electron mobility and low on-resistance, which are critical parameters for power devices such as MOSFETs, diodes, and other components. These properties ensure efficient energy conversion and reduced heat generation, enhancing the performance and lifespan of electronic systems.

Semicera’s rigorous quality control processes ensure that each SiC wafer maintains excellent surface flatness and minimal defects. This meticulous attention to detail ensures that our wafers meet the stringent requirements of industries such as automotive, aerospace, and telecommunications.

In addition to its superior electrical properties, the N-type SiC wafer offers robust thermal stability and resistance to high temperatures, making it ideal for environments where conventional materials might fail. This capability is particularly valuable in applications involving high-frequency and high-power operations.

By choosing Semicera’s 6 Inch N-type SiC Wafer, you are investing in a product that represents the pinnacle of semiconductor innovation. We are committed to providing the building blocks for cutting-edge devices, ensuring that our partners in various industries have access to the best materials for their technological advancements.

أغراض

إنتاج

بحث

دمية

المعلمات البلورية

polytype

4H

خطأ في اتجاه السطح

4±0.15°

المعلمات الكهربائية

Dopant

نيتروجين من النوع

المقاومة

0.015-0.025OHM · سم 

المعلمات الميكانيكية

قطر

150.0 ± 0.2mm

سماكة

350 ± 25 ميكرون 

الاتجاه المسطح الأولي

[1-100]±5°

طول مسطح أساسي

47.5 ± 1.5mm

شقة ثانوية

لا أحد

TTV

≤5 ميكرون 

≤10 ميكرون 

≤15 ميكرون 

LTV

≤3 ميكرون (5 ملم*5 ملم)     

≤5 ميكرون (5 ملم*5 ملم)     

≤10 ميكرون (5 ملم*5 ملم)     

قَوس

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

الاعوجاج

≤35 ميكرون 

≤45 ميكرون 

≤55 ميكرون 

الخشونة الأمامية (si-face) (AFM) 

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

بناء

كثافة micropipe 

<1 EA/CM2

<10 EA/CM2

<15 EA/CM2

الشوائب المعدنية

≤5E10atoms/cm2

نا

BPD

≤1500 EA/CM2

≤3000 EA/CM2

نا

TSD

≤500 EA/CM2

≤1000 EA/CM2

نا

الجودة الأمامية

أمام

سي

الانتهاء من السطح

Si-Face CMP

الجزيئات

≤60A/WEFR (SIZE 30.3μM)

نا

الخدوش

≤5ea/مم. الطول التراكمي ≤Diameter  

الطول التراكمي ≤2*القطر  

نا

قشر البرتقال/الحفر/البقع/الدماغ/الشقوق/التلوث

لا أحد

نا

رقائق الحافة/المسافات البادئة/الكسر/الألواح السداسية

لا أحد

المناطق polytype 

لا أحد

منطقة تراكمية 20%  

التراكمية منطقة ≤30%  

وضع علامة ليزر الأمامية

لا أحد

جودة الظهر

الانتهاء من الظهر

C-Face CMP

الخدوش

≤5EA/MM ، الطول التراكمي ≤2*القطر   

نا

عيوب الظهر (رقائق الحافة/المسافات البادئة)

لا أحد

خشونة الظهر

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

عودة ليزر العلامات

1 مم (من الحافة العليا) 

حافة

حافة

شامفر

التغليف

التغليف

جاهز لـ EPI مع تغليف فراغ  

عبوات الكاسيت متعددة الفرس

*الملاحظات : "NA" تعني عدم وجود عناصر طلب لم يتم ذكرها قد تشير إلى Semi.    

tech_1_2_size

رقائق كذا

Newletter

نتطلع إلى اتصالك معنا