Semicera’s 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafers are engineered for maximum efficiency and reliability in high-performance electronics. These wafers feature excellent thermal and electrical properties, making them ideal for a variety of applications, including power devices and high-frequency electronics. Choose Semicera for superior quality and innovation.
Semicera’s 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafers are designed to meet the rigorous demands of modern semiconductor technology. With exceptional purity and consistency, these wafers serve as a reliable foundation for developing high-efficiency electronic components.
These HPSI SiC wafers are known for their outstanding thermal conductivity and electrical insulation, which are critical for optimizing the performance of power devices and high-frequency circuits. The semi-insulating properties help in minimizing electrical interference and maximizing device efficiency.
The high-quality manufacturing process employed by Semicera ensures that each wafer has uniform thickness and minimal surface defects. This precision is essential for advanced applications such as radio frequency devices, power inverters, and LED systems, where performance and durability are key factors.
By leveraging state-of-the-art production techniques, Semicera provides wafers that not only meet but exceed industry standards. The 6-inch size offers flexibility in scaling up production, catering to both research and commercial applications in the semiconductor sector.
Choosing Semicera’s 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafers means investing in a product that delivers consistent quality and performance. These wafers are part of Semicera’s commitment to advancing the capabilities of semiconductor technology through innovative materials and meticulous craftsmanship.
أغراض |
إنتاج |
بحث |
دمية |
المعلمات البلورية |
|||
polytype |
4H |
||
خطأ في اتجاه السطح |
4±0.15° |
||
المعلمات الكهربائية |
|||
Dopant |
نيتروجين من النوع |
||
المقاومة |
0.015-0.025OHM · سم |
||
المعلمات الميكانيكية |
|||
قطر |
150.0 ± 0.2mm |
||
سماكة |
350 ± 25 ميكرون |
||
الاتجاه المسطح الأولي |
[1-100]±5° |
||
طول مسطح أساسي |
47.5 ± 1.5mm |
||
شقة ثانوية |
لا أحد |
||
TTV |
≤5 ميكرون |
≤10 ميكرون |
≤15 ميكرون |
LTV |
≤3 ميكرون (5 ملم*5 ملم) |
≤5 ميكرون (5 ملم*5 ملم) |
≤10 ميكرون (5 ملم*5 ملم) |
قَوس |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35μm |
-45μm ~ 45μm |
الاعوجاج |
≤35 ميكرون |
≤45 ميكرون |
≤55 ميكرون |
الخشونة الأمامية (si-face) (AFM) |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
||
بناء |
|||
كثافة micropipe |
<1 EA/CM2 |
<10 EA/CM2 |
<15 EA/CM2 |
الشوائب المعدنية |
≤5E10atoms/cm2 |
نا |
|
BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
نا |
TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
نا |
الجودة الأمامية |
|||
أمام |
سي |
||
الانتهاء من السطح |
Si-Face CMP |
||
الجزيئات |
≤60A/WEFR (SIZE 30.3μM) |
نا |
|
الخدوش |
≤5ea/مم. الطول التراكمي ≤Diameter |
الطول التراكمي ≤2*القطر |
نا |
قشر البرتقال/الحفر/البقع/الدماغ/الشقوق/التلوث |
لا أحد |
نا |
|
رقائق الحافة/المسافات البادئة/الكسر/الألواح السداسية |
لا أحد |
||
المناطق polytype |
لا أحد |
منطقة تراكمية 20% |
التراكمية منطقة ≤30% |
وضع علامة ليزر الأمامية |
لا أحد |
||
جودة الظهر |
|||
الانتهاء من الظهر |
C-Face CMP |
||
الخدوش |
≤5EA/MM ، الطول التراكمي ≤2*القطر |
نا |
|
عيوب الظهر (رقائق الحافة/المسافات البادئة) |
لا أحد |
||
خشونة الظهر |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
||
عودة ليزر العلامات |
1 مم (من الحافة العليا) |
||
حافة |
|||
حافة |
شامفر |
||
التغليف |
|||
التغليف |
جاهز لـ EPI مع تغليف فراغ عبوات الكاسيت متعددة الفرس |
||
*الملاحظات : "NA" تعني عدم وجود عناصر طلب لم يتم ذكرها قد تشير إلى Semi. |