6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafer

Semicera’s 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafers are engineered for maximum efficiency and reliability in high-performance electronics. These wafers feature excellent thermal and electrical properties, making them ideal for a variety of applications, including power devices and high-frequency electronics. Choose Semicera for superior quality and innovation.

Semicera’s 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafers are designed to meet the rigorous demands of modern semiconductor technology. With exceptional purity and consistency, these wafers serve as a reliable foundation for developing high-efficiency electronic components.

These HPSI SiC wafers are known for their outstanding thermal conductivity and electrical insulation, which are critical for optimizing the performance of power devices and high-frequency circuits. The semi-insulating properties help in minimizing electrical interference and maximizing device efficiency.

The high-quality manufacturing process employed by Semicera ensures that each wafer has uniform thickness and minimal surface defects. This precision is essential for advanced applications such as radio frequency devices, power inverters, and LED systems, where performance and durability are key factors.

By leveraging state-of-the-art production techniques, Semicera provides wafers that not only meet but exceed industry standards. The 6-inch size offers flexibility in scaling up production, catering to both research and commercial applications in the semiconductor sector.

Choosing Semicera’s 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafers means investing in a product that delivers consistent quality and performance. These wafers are part of Semicera’s commitment to advancing the capabilities of semiconductor technology through innovative materials and meticulous craftsmanship.

أغراض

إنتاج

بحث

دمية

المعلمات البلورية

polytype

4H

خطأ في اتجاه السطح

4±0.15°

المعلمات الكهربائية

Dopant

نيتروجين من النوع

المقاومة

0.015-0.025OHM · سم 

المعلمات الميكانيكية

قطر

150.0 ± 0.2mm

سماكة

350 ± 25 ميكرون 

الاتجاه المسطح الأولي

[1-100]±5°

طول مسطح أساسي

47.5 ± 1.5mm

شقة ثانوية

لا أحد

TTV

≤5 ميكرون 

≤10 ميكرون 

≤15 ميكرون 

LTV

≤3 ميكرون (5 ملم*5 ملم)     

≤5 ميكرون (5 ملم*5 ملم)     

≤10 ميكرون (5 ملم*5 ملم)     

قَوس

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

الاعوجاج

≤35 ميكرون 

≤45 ميكرون 

≤55 ميكرون 

الخشونة الأمامية (si-face) (AFM) 

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

بناء

كثافة micropipe 

<1 EA/CM2

<10 EA/CM2

<15 EA/CM2

الشوائب المعدنية

≤5E10atoms/cm2

نا

BPD

≤1500 EA/CM2

≤3000 EA/CM2

نا

TSD

≤500 EA/CM2

≤1000 EA/CM2

نا

الجودة الأمامية

أمام

سي

الانتهاء من السطح

Si-Face CMP

الجزيئات

≤60A/WEFR (SIZE 30.3μM)

نا

الخدوش

≤5ea/مم. الطول التراكمي ≤Diameter  

الطول التراكمي ≤2*القطر  

نا

قشر البرتقال/الحفر/البقع/الدماغ/الشقوق/التلوث

لا أحد

نا

رقائق الحافة/المسافات البادئة/الكسر/الألواح السداسية

لا أحد

المناطق polytype 

لا أحد

منطقة تراكمية 20%  

التراكمية منطقة ≤30%  

وضع علامة ليزر الأمامية

لا أحد

جودة الظهر

الانتهاء من الظهر

C-Face CMP

الخدوش

≤5EA/MM ، الطول التراكمي ≤2*القطر   

نا

عيوب الظهر (رقائق الحافة/المسافات البادئة)

لا أحد

خشونة الظهر

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

عودة ليزر العلامات

1 مم (من الحافة العليا) 

حافة

حافة

شامفر

التغليف

التغليف

جاهز لـ EPI مع تغليف فراغ  

عبوات الكاسيت متعددة الفرس

*الملاحظات : "NA" تعني عدم وجود عناصر طلب لم يتم ذكرها قد تشير إلى Semi.    

tech_1_2_size

رقائق كذا

Newletter

نتطلع إلى اتصالك معنا