8 Inch N-type SiC Wafer

Semicera’s 8 Inch N-type SiC Wafers are engineered for cutting-edge applications in high-power and high-frequency electronics. These wafers provide superior electrical and thermal properties, ensuring efficient performance in demanding environments. Semicera delivers innovation and reliability in semiconductor materials.

Semicera’s 8 Inch N-type SiC Wafers are at the forefront of semiconductor innovation, providing a solid base for the development of high-performance electronic devices. These wafers are designed to meet the rigorous demands of modern electronic applications, from power electronics to high-frequency circuits.

The N-type doping in these SiC wafers enhances their electrical conductivity, making them ideal for a wide range of applications, including power diodes, transistors, and amplifiers. The superior conductivity ensures minimal energy loss and efficient operation, which are critical for devices operating at high frequencies and power levels.

Semicera employs advanced manufacturing techniques to produce SiC wafers with exceptional surface uniformity and minimal defects. This level of precision is essential for applications that require consistent performance and durability, such as in aerospace, automotive, and telecommunications industries.

Incorporating Semicera’s 8 Inch N-type SiC Wafers into your production line provides a foundation for creating components that can withstand harsh environments and high temperatures. These wafers are perfect for applications in power conversion, RF technology, and other demanding fields.

Choosing Semicera’s 8 Inch N-type SiC Wafers means investing in a product that combines high-quality material science with precise engineering. Semicera is committed to advancing the capabilities of semiconductor technologies, offering solutions that enhance the efficiency and reliability of your electronic devices.

أغراض

إنتاج

بحث

دمية

المعلمات البلورية

polytype

4H

خطأ في اتجاه السطح

4±0.15°

المعلمات الكهربائية

Dopant

نيتروجين من النوع

المقاومة

0.015-0.025OHM · سم 

المعلمات الميكانيكية

قطر

150.0 ± 0.2mm

سماكة

350 ± 25 ميكرون 

الاتجاه المسطح الأولي

[1-100]±5°

طول مسطح أساسي

47.5 ± 1.5mm

شقة ثانوية

لا أحد

TTV

≤5 ميكرون 

≤10 ميكرون 

≤15 ميكرون 

LTV

≤3 ميكرون (5 ملم*5 ملم)     

≤5 ميكرون (5 ملم*5 ملم)     

≤10 ميكرون (5 ملم*5 ملم)     

قَوس

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

الاعوجاج

≤35 ميكرون 

≤45 ميكرون 

≤55 ميكرون 

الخشونة الأمامية (si-face) (AFM) 

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

بناء

كثافة micropipe 

<1 EA/CM2

<10 EA/CM2

<15 EA/CM2

الشوائب المعدنية

≤5E10atoms/cm2

نا

BPD

≤1500 EA/CM2

≤3000 EA/CM2

نا

TSD

≤500 EA/CM2

≤1000 EA/CM2

نا

الجودة الأمامية

أمام

سي

الانتهاء من السطح

Si-Face CMP

الجزيئات

≤60A/WEFR (SIZE 30.3μM)

نا

الخدوش

≤5ea/مم. الطول التراكمي ≤Diameter  

الطول التراكمي ≤2*القطر  

نا

قشر البرتقال/الحفر/البقع/الدماغ/الشقوق/التلوث

لا أحد

نا

رقائق الحافة/المسافات البادئة/الكسر/الألواح السداسية

لا أحد

المناطق polytype 

لا أحد

منطقة تراكمية 20%  

التراكمية منطقة ≤30%  

وضع علامة ليزر الأمامية

لا أحد

جودة الظهر

الانتهاء من الظهر

C-Face CMP

الخدوش

≤5EA/MM ، الطول التراكمي ≤2*القطر   

نا

عيوب الظهر (رقائق الحافة/المسافات البادئة)

لا أحد

خشونة الظهر

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

عودة ليزر العلامات

1 مم (من الحافة العليا) 

حافة

حافة

شامفر

التغليف

التغليف

جاهز لـ EPI مع تغليف فراغ  

عبوات الكاسيت متعددة الفرس

*الملاحظات : "NA" تعني عدم وجود عناصر طلب لم يتم ذكرها قد تشير إلى Semi.    

tech_1_2_size

رقائق كذا

Newletter

نتطلع إلى اتصالك معنا