تم تصميم جهاز ALD Atomic Layer Deposition Planetary Susceptor من شركة Semicera لترسيب الأغشية الرقيقة بشكل دقيق وموحد في تصنيع أشباه الموصلات. يضمن البناء القوي والمواد المتقدمة الأداء العالي وطول العمر. يعمل مستقبل Semicera على تحسين جودة الترسيب وكفاءة العملية، مما يجعله مكونًا أساسيًا لتطبيقات ALD المتطورة.
ترسيب الطبقة الذرية (ALD) هي تقنية ترسيب بخار كيميائي تعمل على إنتاج أغشية رقيقة طبقة بعد طبقة عن طريق حقن جزيئين أوليين أو أكثر بالتناوب. يتمتع ALD بمزايا القدرة العالية على التحكم والتوحيد، ويمكن استخدامه على نطاق واسع في أجهزة أشباه الموصلات والأجهزة الإلكترونية البصرية وأجهزة تخزين الطاقة وغيرها من المجالات. تتضمن المبادئ الأساسية لـ ALD امتزاز السلائف، وتفاعل السطح، وإزالة المنتجات الثانوية، ويمكن تشكيل مواد متعددة الطبقات من خلال تكرار هذه الخطوات في دورة. يتميز ALD بخصائص ومزايا القدرة العالية على التحكم والتوحيد والبنية غير المسامية، ويمكن استخدامه لترسيب مجموعة متنوعة من المواد الأساسية والمواد المختلفة.
ALD لديه الخصائص والمزايا التالية:
1. إمكانية التحكم العالية: نظرًا لأن ALD عبارة عن عملية نمو طبقة تلو الأخرى، فيمكن التحكم بدقة في سمك وتكوين كل طبقة من المواد.
2. التوحيد: يمكن لـ ALD إيداع المواد بشكل موحد على سطح الركيزة بأكمله، وتجنب التفاوت الذي قد يحدث في تقنيات الترسيب الأخرى.
3. هيكل غير مسامي: نظرًا لأن ALD يتم ترسيبه في وحدات من ذرات مفردة أو جزيئات مفردة، فإن الفيلم الناتج عادةً ما يكون له بنية كثيفة وغير مسامية.
4. أداء تغطية جيد: يمكن لـ ALD أن يغطي بشكل فعال الهياكل ذات نسبة العرض إلى الارتفاع العالية، مثل صفائف المسام النانوية، والمواد عالية المسامية، وما إلى ذلك.
5. قابلية التوسع: يمكن استخدام ALD لمجموعة متنوعة من المواد الأساسية، بما في ذلك المعادن وأشباه الموصلات والزجاج وما إلى ذلك.
6. براعة: من خلال اختيار جزيئات سلائف مختلفة، يمكن ترسيب مجموعة متنوعة من المواد المختلفة في عملية ALD، مثل أكاسيد المعادن، والكبريتيدات، والنيتريدات، وما إلى ذلك.
