CVD Silicon Carbide(SiC) Ring provided by Semicera is an indispensable key component in the complex field of semiconductor manufacturing. It is designed for the etching process and can provide stable and reliable performance for the etching process. This CVD Silicon Carbide(SiC) Ring is made through precision and innovative processes. It is made entirely of chemical vapor deposition silicon carbide (CVD SiC) material and is widely recognized as a representative of excellent performance and enjoys a high reputation in the demanding semiconductor industry. Semicera looks forward to becoming your long-term partner in China.
Why is Silicon Carbide Etching Ring ?
CVD Silicon Carbide(SiC) Rings offered by Semicera are key components in semiconductor etching, a vital stage in semiconductor device manufacturing. The composition of these CVD Silicon Carbide(SiC) Rings ensures a rugged and durable structure that can withstand the harsh conditions of the etching process. Chemical vapor deposition helps form a high-purity, uniform and dense SiC layer, giving the rings excellent mechanical strength, thermal stability and corrosion resistance.
As a key element in semiconductor manufacturing, CVD Silicon Carbide(SiC) Rings act as a protective barrier to protect the integrity of semiconductor chips. Its precise design ensures uniform and controlled etching, which helps in the manufacture of highly complex semiconductor devices, providing enhanced performance and reliability.
The use of CVD SiC material in the construction of the rings demonstrates a commitment to quality and performance in semiconductor manufacturing. This material has unique properties, including high thermal conductivity, excellent chemical inertness, and wear and corrosion resistance, making CVD Silicon Carbide(SiC) Rings an indispensable component in the pursuit of precision and efficiency in semiconductor etching processes.
Semicera’s CVD Silicon Carbide (SiC) Ring represents an advanced solution in the field of semiconductor manufacturing, using the unique properties of chemical vapor deposited silicon carbide to achieve reliable and high-performance etching processes, promoting the continuous advancement of semiconductor technology. We are committed to providing customers with excellent products and professional technical support to meet the semiconductor industry’s demand for high-quality and efficient etching solutions.
ميزتنا ، لماذا تختار semicera؟
✓Top-quality in China market
✓Good service always for you, 7*24 hours
✓Short date of delivery
✓Small MOQ welcome and accepted
✓Custom services
طلب
حساء النمو epitaxy
تحتاج رقائق كربيد السيليكون/السيليكون إلى المرور من خلال عمليات متعددة لاستخدامها في الأجهزة الإلكترونية. عملية مهمة هي السيليكون/كذا epitaxy ، حيث يتم تنفيذ رقائق السيليكون/كذا على قاعدة الجرافيت. تشمل المزايا الخاصة لقاعدة الجرافيت المغلفة بالكربيد في سيليكون من Semicera نقاءًا مرتفعًا للغاية ، وطلاء موحد ، وعمر خدمة طويل للغاية. لديهم أيضا مقاومة كيميائية عالية والاستقرار الحراري.
LED إنتاج رقاقة
أثناء الطلاء الواسع لمفاعل MOCVD ، تنقل قاعدة الكواكب أو الناقل رقاقة الركيزة. إن أداء المادة الأساسية له تأثير كبير على جودة الطلاء ، مما يؤثر بدوره على معدل خردة الشريحة. تزيد القاعدة المغلفة بالسيليكون المغطاة بالكربيد في Semicera من كفاءة تصنيع رقائق LED عالية الجودة وتقلل من انحراف الطول الموجي. نحن أيضًا نوفر مكونات جرافيت إضافية لجميع مفاعلات MOCVD المستخدمة حاليًا. يمكننا أن نغطى أي مكون تقريبًا مع طلاء كربيد السيليكون ، حتى لو كان قطر المكون يصل إلى 1.5 متر ، فلا يزال بإمكاننا التغلب على كربيد السيليكون.
مجال أشباه الموصلات ، عملية نشر الأكسدة، إلخ.
في عملية أشباه الموصلات ، تتطلب عملية توسيع الأكسدة نقاءًا عاليًا للمنتج ، وفي Semicera نقدم خدمات طلاء مخصصة و CVD لغالبية أجزاء كربيد السيليكون.
تُظهر الصورة التالية ملاط كربيد السيليكون الذي تم تجهيزه من Semicea وأنبوب فرن كربيد السيليكون الذي يتم تنظيفه في 100 0-مستوى خالية من الغبار غرفة. عمالنا يعملون قبل الطلاء. يمكن أن تصل نقاء كربيد السيليكون لدينا إلى 99.99% ، ونقاء طلاء SIC أكبر من 99.99995% .
بيانات SEMI-CERA 'CVD SIC Performace.