تم تصميم ركائز Semicera Silicon بدقة للتطبيقات عالية الأداء في مجال الإلكترونيات وتصنيع أشباه الموصلات. مع النقاء والتوحيد الاستثنائي، تم تصميم هذه الركائز لدعم العمليات التكنولوجية المتقدمة. تضمن Semicera الجودة والموثوقية المتسقة لمشاريعك الأكثر تطلبًا.
تم تصنيع ركائز Semicera Silicon لتلبية المتطلبات الصارمة لصناعة أشباه الموصلات، مما يوفر جودة ودقة لا مثيل لهما. توفر هذه الركائز أساسًا موثوقًا لمختلف التطبيقات، بدءًا من الدوائر المتكاملة وحتى الخلايا الكهروضوئية، مما يضمن الأداء الأمثل وطول العمر.
تضمن النقاء العالي لركائز Semicera السيليكون الحد الأدنى من العيوب والخصائص الكهربائية الفائقة، والتي تعد ضرورية لإنتاج مكونات إلكترونية عالية الكفاءة. يساعد هذا المستوى من النقاء في تقليل فقد الطاقة وتحسين الكفاءة العامة لأجهزة أشباه الموصلات.
تستخدم شركة Semicera أحدث تقنيات التصنيع لإنتاج ركائز السيليكون ذات التوحيد والتسطيح الاستثنائي. تعد هذه الدقة ضرورية لتحقيق نتائج متسقة في تصنيع أشباه الموصلات، حيث يمكن لأدنى اختلاف أن يؤثر على أداء الجهاز وإنتاجيته.
تتوفر ركائز Semicera Silicon في مجموعة متنوعة من الأحجام والمواصفات، وهي تلبي مجموعة واسعة من الاحتياجات الصناعية. سواء كنت تقوم بتطوير معالجات دقيقة أو ألواح شمسية متطورة، فإن هذه الركائز توفر المرونة والموثوقية المطلوبة لتطبيقك المحدد.
تكرس شركة Semicera جهودها لدعم الابتكار والكفاءة في صناعة أشباه الموصلات. ومن خلال توفير ركائز السيليكون عالية الجودة، فإننا نمكن الشركات المصنعة من تجاوز حدود التكنولوجيا، وتقديم المنتجات التي تلبي المتطلبات المتطورة للسوق. ثق بـ Semicera للجيل القادم من الحلول الإلكترونية والضوئية.
|
أغراض |
إنتاج |
بحث |
دمية |
|
معلمات الكريستال |
|||
|
متعدد الأنواع |
4H |
||
|
خطأ في اتجاه السطح |
<11-20 >4±0.15° |
||
|
المعلمات الكهربائية |
|||
|
منشط |
ن نوع النيتروجين |
||
|
المقاومة |
0.015-0.025 أوم·سم |
||
|
المعلمات الميكانيكية |
|||
|
القطر |
150.0 ± 0.2 مم |
||
|
سماكة |
350 ± 25 ميكرومتر |
||
|
التوجه المسطح الأساسي |
[1-100]±5° |
||
|
الطول المسطح الأساسي |
47.5±1.5 ملم |
||
|
شقة ثانوية |
لا أحد |
||
|
تي تي في |
≤5 ميكرون |
≤10 ميكرون |
≤15 ميكرون |
|
القيمة الدائمة |
≤3 ميكرومتر (5 مم * 5 مم) |
≤5 ميكرومتر (5 مم * 5 مم) |
≤10 ميكرومتر (5 مم * 5 مم) |
|
قَوس |
-15 ميكرومتر ~ 15 ميكرومتر |
-35 ميكرومتر ~ 35 ميكرومتر |
-45 ميكرومتر ~ 45 ميكرومتر |
|
الاعوجاج |
≤35 ميكرون |
≤45 ميكرون |
≤55 ميكرون |
|
خشونة الجبهة (Si-face) (AFM) |
Ra<0.2nm (5μm*5μm) |
||
|
بناء |
|||
|
كثافة الأنابيب الدقيقة |
<1 لكل سم/سم2 |
<10 لكل سم/سم2 |
<15 لكل وحدة/سم2 |
|
الشوائب المعدنية |
≤5E10atoms/cm2 |
غير متوفر |
|
|
اضطراب الشخصية الحدية |
≤1500 قطعة/سم2 |
≤3000 قطعة/سم2 |
غير متوفر |
|
TSD |
≤500 قطعة/سم2 |
≤1000 قطعة/سم2 |
غير متوفر |
|
الجودة الأمامية |
|||
|
أمام |
سي |
||
|
الانتهاء من السطح |
سي الوجه CMP |
||
|
الجسيمات |
≤60 قطعة/رقاقة (الحجم ≥0.3μm) |
غير متوفر |
|
|
الخدوش |
≤5ea/مم. الطول التراكمي ≥ القطر |
الطول التراكمي ≥2*القطر |
غير متوفر |
|
قشر البرتقال / الحفر / البقع / التشققات / الشقوق / التلوث |
لا أحد |
غير متوفر |
|
|
رقائق الحافة/المسافات البادئة/الكسر/ألواح سداسية |
لا أحد |
||
|
مناطق متعددة الأنواع |
لا أحد |
المساحة التراكمية ≥20% |
المساحة التراكمية ≥30% |
|
علامات الليزر الأمامية |
لا أحد |
||
|
جودة الظهر |
|||
|
الانتهاء من الخلف |
C-الوجه CMP |
||
|
الخدوش |
≤5ea/mm، الطول التراكمي ≥2*القطر |
غير متوفر |
|
|
عيوب الظهر (رقائق الحواف/المسافات البادئة) |
لا أحد |
||
|
خشونة الظهر |
Ra<0.2nm (5μm*5μm) |
||
|
وسم بالليزر على الظهر |
1 ملم (من الحافة العلوية) |
||
|
حافة |
|||
|
حافة |
الشطب |
||
|
التعبئة والتغليف |
|||
|
التعبئة والتغليف |
Epi جاهز مع تعبئة مفرغة من الهواء تغليف كاسيت متعدد الرقاقات |
||
|
*ملاحظات: "NA" تعني عدم وجود طلب. قد تشير العناصر غير المذكورة إلى SEMI-STD. |
|||
