Semicera’s SOI Wafer (Silicon On Insulator) provides exceptional electrical isolation and performance for advanced semiconductor applications. Engineered for superior thermal and electrical efficiency, these wafers are ideal for high-performance integrated circuits. Choose Semicera for quality and reliability in SOI wafer technology.
Semicera’s SOI Wafer (Silicon On Insulator) is designed to deliver superior electrical isolation and thermal performance. This innovative wafer structure, featuring a silicon layer on an insulating layer, ensures enhanced device performance and reduced power consumption, making it ideal for a variety of high-tech applications.
Our SOI wafers offer exceptional benefits for integrated circuits by minimizing parasitic capacitance and improving device speed and efficiency. This is crucial for modern electronics, where high performance and energy efficiency are essential for both consumer and industrial applications.
Semicera employs advanced manufacturing techniques to produce SOI wafers with consistent quality and reliability. These wafers provide excellent thermal insulation, making them suitable for use in environments where heat dissipation is a concern, such as in high-density electronic devices and power management systems.
The use of SOI wafers in semiconductor fabrication allows for the development of smaller, faster, and more reliable chips. Semicera’s commitment to precision engineering ensures that our SOI wafers meet the high standards required for cutting-edge technologies in fields like telecommunications, automotive, and consumer electronics.
Choosing Semicera’s SOI Wafer means investing in a product that supports the advancement of electronic and microelectronic technologies. Our wafers are designed to provide enhanced performance and durability, contributing to the success of your high-tech projects and ensuring that you stay at the forefront of innovation.
أغراض |
إنتاج |
بحث |
دمية |
المعلمات البلورية |
|||
polytype |
4H |
||
خطأ في اتجاه السطح |
4±0.15° |
||
المعلمات الكهربائية |
|||
Dopant |
نيتروجين من النوع |
||
المقاومة |
0.015-0.025OHM · سم |
||
المعلمات الميكانيكية |
|||
قطر |
150.0 ± 0.2mm |
||
سماكة |
350 ± 25 ميكرون |
||
الاتجاه المسطح الأولي |
[1-100]±5° |
||
طول مسطح أساسي |
47.5 ± 1.5mm |
||
شقة ثانوية |
لا أحد |
||
TTV |
≤5 ميكرون |
≤10 ميكرون |
≤15 ميكرون |
LTV |
≤3 ميكرون (5 ملم*5 ملم) |
≤5 ميكرون (5 ملم*5 ملم) |
≤10 ميكرون (5 ملم*5 ملم) |
قَوس |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35μm |
-45μm ~ 45μm |
الاعوجاج |
≤35 ميكرون |
≤45 ميكرون |
≤55 ميكرون |
الخشونة الأمامية (si-face) (AFM) |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
||
بناء |
|||
كثافة micropipe |
<1 EA/CM2 |
<10 EA/CM2 |
<15 EA/CM2 |
الشوائب المعدنية |
≤5E10atoms/cm2 |
نا |
|
BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
نا |
TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
نا |
الجودة الأمامية |
|||
أمام |
سي |
||
الانتهاء من السطح |
Si-Face CMP |
||
الجزيئات |
≤60A/WEFR (SIZE 30.3μM) |
نا |
|
الخدوش |
≤5ea/مم. الطول التراكمي ≤Diameter |
الطول التراكمي ≤2*القطر |
نا |
قشر البرتقال/الحفر/البقع/الدماغ/الشقوق/التلوث |
لا أحد |
نا |
|
رقائق الحافة/المسافات البادئة/الكسر/الألواح السداسية |
لا أحد |
||
المناطق polytype |
لا أحد |
منطقة تراكمية 20% |
التراكمية منطقة ≤30% |
وضع علامة ليزر الأمامية |
لا أحد |
||
جودة الظهر |
|||
الانتهاء من الظهر |
C-Face CMP |
||
الخدوش |
≤5EA/MM ، الطول التراكمي ≤2*القطر |
نا |
|
عيوب الظهر (رقائق الحافة/المسافات البادئة) |
لا أحد |
||
خشونة الظهر |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
||
عودة ليزر العلامات |
1 مم (من الحافة العليا) |
||
حافة |
|||
حافة |
شامفر |
||
التغليف |
|||
التغليف |
جاهز لـ EPI مع تغليف فراغ عبوات الكاسيت متعددة الفرس |
||
*الملاحظات : "NA" تعني عدم وجود عناصر طلب لم يتم ذكرها قد تشير إلى Semi. |