شركة SC Coating Graphite Wafer Susceptor for MOCVD Epitaxial Growth

تطبيقات المنتجات

1. تصنيع المواد الكيميائية

   • Ideal for epitaxial deposition of GaN, SiC, and III-V compound semiconductors.

   • Critical for producing high-performance LEDs, RF devices, and power electronics.

2. البحث والتطوير

   • مؤمنة من المختبرات لدراسات مادية متطورة وشبه موصل من الجين التالي.

3. MOCVD النظم

   • Compatible with leading MOCVD equipment for mass production of optoelectronic components.

المزايا الرئيسية

1. المدة غير المطابقة

   • ويعزز هذا التغليف مقاومة الصدمة الحرارية، والتآكل الكيميائي، والملابس الميكانيكية، حيث يمتد عمر الخدمة بمقدار 3x مقارنة بمستحضرات الغرافيت التقليدية.

2. التوحيد الحراري الخارق

   • مخطّط لـ1.5% نظام درجات الحرارة عبر سطح الوفير، مقللاً العيوب في طبقات مودعة.

3. درجة الحرارة العالية

   • تعمل بلا هوادة عند درجات حرارة تصل إلى 800 1 درجة مئوية، مع الحفاظ على السلامة الهيكلية في البيئات القاسية للحركة.

4. كفاءة التكلفة

   • ويقلل من تكاليف التعطل وتكاليف الاستبدال بفضل استمرارية العمل المطول والأداء المتسق.

المنتجات

1. تركيبة مواد المرحلة التمهيدية

   • يجمع بين الغرافيت الأيزوتية العالية النقاء مع كثيفة وخالية من العيوب من السي سي سي سي سي سي سي سي سي سي سي كي يُمثل المقاومة الحرارية والكيميائية.

2. التصميمات العرفية

   • Available in tailored geometries (e.g., pancake, spiritual, horizontal) to fit diverse reactor formations.

3. الهندسة الدقيقة

   • Ultra-smooth surface end (0.5 ميكروm Ra) ensures minimal particle contamination during deposition.

4. الاستجابة السريعة الحرارية

   • ويؤدي تدني التصاميم الحرارية إلى تسريع دورات التدفئة/التدفئة، وتعزيز كفاءة العمليات.

لماذا تشوس سيميكيرا؟?

• الخبرة الصناعية: مدعومة بـ 15+ سنة من الخبرة في إيجاد حلول سيرامية متقدمة لتطبيقات شبه الموصلات.

• ضمان الجودة: الاختبارات الروتينية بموجب البروتوكولات المصدق عليها من قبل المنظمة الدولية لتوحيد المقاييس تضمن اتساق الأداء.

• الدعم العالمي: Dedicated technical team available for custom solutions and rapid delivery.