Schlüsselfaktoren bei der Erzeugung von SIC-Kristallen mit hoher Purity für fortschrittliche Anwendungen

Das Wachstum von SIC-Kristall erfordert eine strenge Kontrolle der Reinheit, Temperatur und Prozessparameter, um hochwertige, fehlerfreie Siliziumcarbidkristalle zu erzeugen.