Semicera’s SiC Ceramic Seal Part is designed for the semiconductor manufacturing industry, providing excellent sealing performance and durability. It uses high-quality Silicon Carbide (SiC) material, combined with Alumina (Al2O3) and Silicon Nitride (Si3N4), to ensure reliable performance in high temperature and harsh environments, and is widely used in wafer boats and wafer carriers.
Semicera’s self-developed SiC Ceramic Seal Part is designed to meet the high standards of modern semiconductor manufacturing. This sealing part uses high-performance silicon carbide (SiC) material with excellent wear resistance and chemical stability to ensure excellent sealing performance in extreme environments. Combined with aluminum oxide (Al2O3) and silicon nitride (Si3N4), this part performs well in high-temperature applications and can effectively prevent gas and liquid leakage.
When used in conjunction with equipment such as wafer boats and wafer carriers, Semicera’s SiC Ceramic Seal Part can significantly improve the efficiency and reliability of the overall system. Its superior temperature resistance and corrosion resistance make it an indispensable component in high-precision semiconductor manufacturing, ensuring stability and safety during the production process.
Darüber hinaus wurde das Design dieses Versiegelungsteils sorgfältig optimiert, um die Kompatibilität mit einer Vielzahl von Geräten zu gewährleisten, wodurch die Verwendung in verschiedenen Produktionslinien einfach zu bedienen ist. Das F & E -Team von Semicera arbeitet weiterhin hart daran, technologische Innovationen zu fördern, um die Wettbewerbsfähigkeit seiner Produkte in der Branche zu gewährleisten.
Choosing Semicera’s SiC Ceramic Seal Part, you will get a combination of high performance and reliability, helping you achieve more efficient production processes and excellent product quality. Semicera is always committed to providing customers with the best semiconductor solutions and services to promote the continuous development and progress of the industry.
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Epitaxie -Wachstumssuszeptor
Silizium/Silizium -Carbid -Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/sic -Epitaxie, bei der Silizium/sic -Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Zu den besonderen Vorteilen der Silizium-Carbid-Graphit-Basis von Semicera gehören eine extrem hohe Reinheit, einheitliche Beschichtung und extrem lange Lebensdauer. Sie haben auch hohe chemische Resistenz und thermische Stabilität.
LED -Chipproduktion
Während der umfangreichen Beschichtung des MOCVD -Reaktors bewegt sich die Planetenbasis oder der Träger den Substratwafer. Die Leistung des Grundmaterials hat einen großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was wiederum die Schrottrate des Chips beeinflusst. Die Silizium-Carbid-Basis von Semicera erhöht die Herstellungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert die Wellenlängenabweichung. Wir liefern auch zusätzliche Graphitkomponenten für alle derzeit verwendeten MOCVD -Reaktoren. Wir können fast jede Komponente mit einer Siliziumkarbidbeschichtung beschichten. Auch wenn der Komponentendurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir immer noch mit Siliziumkarbid befehlen.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert das Oxidationserweiterungsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir für die Mehrheit der Silizium -Carbid -Teile kundenspezifische und CVD -Beschichtungsdienste an.
Das folgende Bild zeigt die rau verarbeitete Siliziumkarbidaufschlämmung von Semicea und das in den 100 gereinigte Silizium-Carbid-Ofenrohr0-Ebene staubfrei Zimmer. Unsere Arbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,99% erreichen, und die Reinheit der sic -Beschichtung ist größer als 99,99995%.
