Semicera’s High Purity Porous Tantalum Carbide Coated Barrel is specifically designed for silicon carbide (SiC) crystal growth furnaces. Featuring a high-purity tantalum carbide coating and a porous structure, this barrel provides exceptional thermal stability and resistance to chemical corrosion. Semicera’s advanced coating technology ensures long-lasting performance and efficiency in SiC crystal growth processes, making it an ideal choice for demanding semiconductor applications.
Porous tantalum carbide coated barrel is tantalum carbide as the main coating material, tantalum carbide has excellent corrosion resistance, wear resistance and high temperature stability. It can effectively protect the base material from chemical erosion and high temperature atmosphere. The base material usually has the characteristics of high temperature resistance and corrosion resistance. It can provide good mechanical strength and chemical stability, and at the same time serve as the supporting basis of the tantalum carbide coating.
Semicera bietet spezielle Tantal -Carbid -Beschichtungen (TAC) für verschiedene Komponenten und Träger. Das führende Beschichtungsprozess von Semizera ermöglicht Tantal -Carbid (TAC) -Hellbeschichtungen, um eine hohe Reinheit, hohe Temperaturstabilität und hohe chemische Toleranz zu erzielen, die Produktqualität von SIC/GaN -Kristallen und EPI -Schichten zu verbessern (SchichtenGraphitbeschichtete TAC -Suszeptor) und die Lebensdauer von Schlüsselreaktorkomponenten verlängern. Die Verwendung von Tantal -Carbid -TAC -Beschichtung besteht darin, das Edgeproblem zu lösen und die Qualität des Kristallwachstums zu verbessern. Semizera hat den Durchbruch die Tantal -Carbidbeschichtungstechnologie (CVD) durch einen Durchbruch und erreicht das internationale Fortgeschrittenen.
After years of development, Semicera has conquered the technology of CVD TaC with the joint efforts of the R&D department. Defects are easy to occur in the growth process of SiC wafers, but after using TaC, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Simicera’ parts for single crystal growth.
Außerdem, Semicera TAC-beschichtete Produkte zeigen eine längere Lebensdauer und einen größeren Widerstand mit hohem Temperatur im Vergleich zu SiC -Beschichtungen. Labormessungen haben gezeigt, dass unsere TAC -Beschichtungen kann bei Temperaturen von bis zu 2300 Grad Celsius für längere Perioden konsequent funktionieren. Im Folgenden finden Sie einige Beispiele für unsere Proben:
