Semicera bietet qualitativ hochwertige solide Silizium-Carbid-Radierring (SIC) sowie maßgeschneiderte Dienste. Unsere SIC -Ätzring (Festkörperkarbid) ist präzisionisch hergestellt und streng hochwertig kontrolliert, um seine Haltbarkeit und Zuverlässigkeit zu gewährleisten, die in der Herstellung von Halbleiter und anderen verwandten Bereichen häufig verwendet werden kann. Sie können feste Siliziumcarbid (SiC) -Eetringe aus unserer Fabrik mit Zuversicht kaufen. Semicera freut sich darauf, eine langfristige Partnerschaft mit Ihnen in China aufzubauen.
Die von Semicera angebotenen festen Siliziumcarbid (SIC) -Ätzringe werden von der CVD -Methode (Chemical Dampor Deposition) hergestellt und sind ein hervorragendes Ergebnis auf dem Gebiet der Präzisionsetching -Prozessanwendungen. Diese soliden Siliziumkarbid (sic) Radierungsringe sind bekannt für ihre hervorragende Härte, thermische Stabilität und Korrosionsbeständigkeit, und die überlegene Materialqualität wird durch die CVD -Synthese gewährleistet.
Die raue Struktur und einzigartige Materialeigenschaften der Ätzenringe und der einzigartigen Materialeigenschaften sind speziell für Ätzenprozesse entwickelt und spielen eine Schlüsselrolle bei der Erzielung von Präzision und Zuverlässigkeit. Im Gegensatz zu herkömmlichen Materialien hat die feste SIC -Komponente eine unvergleichliche Haltbarkeit und Verschleißfestigkeit, was sie zu einer unverzichtbaren Komponente in Branchen macht, die Präzision und lange Lebensdauer erfordern.
Unsere SIC -Ätzringe (Festkörpertiere) sind präzisionsgerichtet und qualitativ kontrolliert, um ihre überlegene Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Ob in der Herstellung von Halbleiter oder in anderen verwandten Feldern, diese soliden Siliziumkarbid (SIC) Ätzringe können eine stabile Ätzeleistung und hervorragende Ätzergebnisse liefern.
Wenn Sie an unserem Rading Ring von Silicon Carbid (sic) interessiert sind, kontaktieren Sie uns bitte. Unser Team bietet Ihnen detaillierte Produktinformationen und professionelle technische Unterstützung, um Ihre Anforderungen zu erfüllen. Wir freuen uns darauf, eine langfristige Partnerschaft mit Ihnen aufzubauen und gemeinsam die Entwicklung der Branche zu fördern.
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Epitaxie -Wachstumssuszeptor
Silizium/Silizium -Carbid -Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/sic -Epitaxie, bei der Silizium/sic -Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Zu den besonderen Vorteilen der Silizium-Carbid-Graphit-Basis von Semicera gehören eine extrem hohe Reinheit, einheitliche Beschichtung und extrem lange Lebensdauer. Sie haben auch hohe chemische Resistenz und thermische Stabilität.
LED -Chipproduktion
Während der umfangreichen Beschichtung des MOCVD -Reaktors bewegt sich die Planetenbasis oder der Träger den Substratwafer. Die Leistung des Grundmaterials hat einen großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was wiederum die Schrottrate des Chips beeinflusst. Die Silizium-Carbid-Basis von Semicera erhöht die Herstellungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert die Wellenlängenabweichung. Wir liefern auch zusätzliche Graphitkomponenten für alle derzeit verwendeten MOCVD -Reaktoren. Wir können fast jede Komponente mit einer Siliziumkarbidbeschichtung beschichten. Auch wenn der Komponentendurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir immer noch mit Siliziumkarbid befehlen.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert das Oxidationserweiterungsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir für die Mehrheit der Silizium -Carbid -Teile kundenspezifische und CVD -Beschichtungsdienste an.
Das folgende Bild zeigt die rau verarbeitete Siliziumkarbidaufschlämmung von Semicea und das in den 100 gereinigte Silizium-Carbid-Ofenrohr0-Ebene staubfrei Zimmer. Unsere Arbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,99% erreichen, und die Reinheit der sic -Beschichtung ist größer als 99,99995%.
