1. Richtige Installationsmethoden der SIC -TAC -Beschichtung 1.1 Vorbereitungsarbeiten vor der Installationssubstratbehandlung: Reinigen Sie zunächst die Oberfläche des Substrats gründlich zu
Die Waferlösungen von Silicon-on-Isolator (SOI) erhöhen die Chipgeschwindigkeit, den Stromverbrauch und verbessern die Zuverlässigkeit und führen Sie die fortschrittliche Elektronik im Jahr 2025.
SIC-Beschichtungen auf Graphit-Oxidationsbeständigkeit, thermische Stabilität und Haltbarkeit bei hochtemperaturindustriellen und Halbleiteranwendungen.
Semiconductor Epitaxial Layer erhöht die Geschwindigkeit, Zuverlässigkeit und Effizienz von Geräte, ermöglicht fortschrittliche Architekturen und Halbleiter-Innovationen der nächsten Generation.
Innovationen in der SIC-Beschichtung für Graphitmaterialien erhöhen die Haltbarkeit, die Oxidationsbeständigkeit und die Lebensdauer der Lebensdauer in hochtemperativen industriellen Umgebungen.
SIC-Beschichtungen auf Graphit unter Verwendung der SIC-Oxidationsbeständigkeit, Haltbarkeit und thermischer Stabilität für eine zuverlässige industrielle Leistung mit hoher Temperatur.
Semicera Semiconductor Technology Co. Ltd. mit Sitz in Ningbo, Provinz Zhejiang, China, wurde im Januar 2018 gegründet.
Semicera Semiconductor integriert F&E und Produktion mit zwei Forschungszentren und drei Produktionsstätten, die 50 Produktionslinien und über 200 Mitarbeiter unterstützen.
Urheberrecht © Ningbo Miami Advanced Material Technology Co., LTD
Copyright © 2024. Alle Rechte vorbehalten.
German 
English 
French 
Japanese 
Korean 
Spanish 
Italian 
Portuguese 
Arabic 
Danish 
Finnish 
Indonesian 
Polish 
Romanian 
Russian 
Swedish 
Turkish