High-Temperature SiC Coating Graphite Wafer Susceptor for MOCVD Epitaxial Growth

Produktanwendungen

1. Semiconductor Manufacturing

   • Ideal zur epitaktischen Abscheidung von GaN-, SiC- und III-V-Verbindungshalbleitern.

   • Kritisch für die Herstellung von Hochleistungs-LEDs, HF-Geräten und Leistungselektronik.

2. Forschung und Entwicklung

   • Trusted by Labs for Advanced Material Studies und Next-Gen Halbleiter Prototyping.

3. Industrielle MOCVD Systeme

   • Kompatibel mit führenden MOCVD-Geräten für die Massenproduktion von optoelektronischen Bauteilen.

Key Advantages

1. Unübertroffene Haltbarkeit

   • SiC-Beschichtung verbessert die Beständigkeit gegen Hitzeschock, chemische Korrosion und mechanischen Verschleiß, verlängert Lebensdauer um 3x im Vergleich zu herkömmlichen Graphitanfälligkeiten.

2. Überlegene thermische Einheitlichkeit

   • Für ±1,5%-Temperaturgleichmäßigkeit über die Waferoberfläche entwickelt, wodurch Defekte in abgeschiedenen Schichten minimiert werden.

3. Hochtemperaturstabilität

   • Betreibt nahtlos bei Temperaturen bis zu 1.800°C, wobei die strukturelle Integrität in rauen MOCVD-Umgebungen erhalten bleibt.

4. Kosteneffizienz

   • Verringert Ausfallzeiten und Ersatzkosten dank längerer Haltbarkeit und gleichbleibender Leistung.

Produkteigenschaften

1. Premium Materialzusammensetzung

   • Kombiniert hochreinen isostatischen Graphit mit einer dichten, fehlerfreien SiC-Beschichtung für eine optimale thermische und chemische Beständigkeit.

2. Anpassbare Designs

   • Erhältlich in maßgeschneiderten Geometrien (z.B. Pfannkuchen, vertikal, horizontal) für unterschiedliche Reaktorkonfigurationen.

3. Maschinen und Anlagen

   • Ultraglättende Oberflächenbehandlung (<0,5 μm Ra) sorgt für minimale Partikelkontamination während der Abscheidung.

4. Schnelle Thermische Reaktion

   • Niedriges thermisches Massendesign beschleunigt Heiz-/Kühlzyklen, wodurch die Prozesseffizienz erhöht wird.

Warum Semicera wählen?

• Branchenexpertise: Unterstützt durch 15 Jahre Erfahrung in fortschrittlichen keramischen Lösungen für Halbleiteranwendungen.

• Quality Assurance: Rigorous-Tests unter ISO-zertifizierten Protokollen garantieren Leistungskonsistenz.

• Globale Unterstützung: Dediziertes technisches Team für individuelle Lösungen und schnelle Lieferung.