2 "Galliumoxidsubstrate

Semizelle freut sich zu bieten 2 "Galliumoxidsubstrate, ein modernes Material zur Verbesserung der Leistung fortschrittlicher Halbleitergeräte. Diese Substrate, hergestellt aus Galliumoxid (GA₂O₃) verfügen über eine ultra-weite Bandlücke, die sie zu einer idealen Wahl für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und UV-optoelektronische Anwendungen macht.

Schlüsselmerkmale:

       •  Ultra-Wide Bandgap: Der 2 "Galliumoxidsubstrate Stellen Sie eine ausstehende Bandlücke von ca. 4,8 EV bereit, die einen höheren Spannungs- und Temperaturbetrieb ermöglichen, was die Fähigkeiten herkömmlicher Halbleitermaterialien wie Silizium weit überschreitet.

       •  Außergewöhnliche Breakdown -Spannung: Diese Substrate ermöglichen es Geräten, deutlich höhere Spannungen zu bewältigen, was sie perfekt für die Leistungselektronik, insbesondere in Hochspannungsanwendungen, perfekt umgehen.

       •  Ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit: Mit überlegener thermischer Stabilität behalten diese Substrate auch in extremen thermischen Umgebungen eine konsistente Leistung bei, ideal für Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen.

       •  Hochwertiges Material: Der 2 "Galliumoxidsubstrate Bieten Sie niedrige Defektdichten und hohe kristalline Qualität an, um die zuverlässige und effiziente Leistung Ihrer Halbleitergeräte zu gewährleisten.

       •  Vielseitige Anwendungen: Diese Substrate eignen sich für eine Reihe von Anwendungen, darunter Stromtransistoren, Schottky-Dioden und UV-C-LED-Geräte und bieten eine robuste Grundlage für Kraft- und optoelektronische Innovationen.

Schalten Sie das volle Potenzial Ihrer Halbleitergeräte mit Semizerien frei 2 "Galliumoxidsubstrate. Unsere Substrate sind so konzipiert, dass sie den anspruchsvollen Anforderungen der heutigen fortschrittlichen Anwendungen entsprechen und hohe Leistung, Zuverlässigkeit und Effizienz gewährleisten. Wählen Sie Semizera für hochmoderne Halbleitermaterialien, die Innovationen vorantreiben.