Semiceras 8-Zoll-N-Typ-Wafer werden für hochmoderne Anwendungen in Hochleistungs- und Hochfrequenzelektronik entwickelt. Diese Wafer bieten überlegene elektrische und thermische Eigenschaften und gewährleisten eine effiziente Leistung in anspruchsvollen Umgebungen. Semicera liefert Innovation und Zuverlässigkeit in Halbleitermaterialien.
Semiceras 8-Zoll-N-Typ-Wafer stehen an der Spitze der Halbleiterinnovation und bieten eine solide Basis für die Entwicklung elektronischer Hochleistungsgeräte. Diese Wafer sind so konzipiert, dass sie den strengen Anforderungen moderner elektronischer Anwendungen erfüllen, von Stromeelektronik bis hin zu Hochfrequenzschaltungen.
Das N-Typ-Doping in diesen SiC-Wafern verbessert ihre elektrische Leitfähigkeit und macht sie ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Leistungsdioden, Transistoren und Verstärker. Die überlegene Leitfähigkeit sorgt für einen minimalen Energieverlust und einen effizienten Betrieb, der für Geräte, die bei hohen Frequenzen und Leistungsniveaus betrieben werden, von entscheidender Bedeutung sind.
Semizera setzt fortschrittliche Fertigungstechniken ein, um SIC -Wafer mit außergewöhnlicher Oberflächengleichmäßigkeit und minimaler Defekte herzustellen. Diese Präzision ist für Anwendungen, die eine konsistente Leistung und Haltbarkeit erfordern, von wesentlicher Bedeutung, z. B. in der Luft- und Raumfahrt-, Automobil- und Telekommunikationsbranche.
Durch die Einbeziehung von Semiceras 8-Zoll-SIC-Wafern in Ihre Produktionslinie ist die Grundlage für die Erstellung von Komponenten, die harte Umgebungen und hohe Temperaturen standhalten können. Diese Wafer eignen sich perfekt für Anwendungen in der Stromumwandlung, der HF -Technologie und anderer anspruchsvoller Bereiche.
Die Wahl von Semiceras 8-Zoll-N-Typ-Wafern bedeutet, in ein Produkt zu investieren, das qualitativ hochwertige Materialwissenschaften mit präziser Ingenieurwesen kombiniert. Semicera ist verpflichtet, die Fähigkeiten von Halbleitertechnologien voranzutreiben und Lösungen anzubieten, die die Effizienz und Zuverlässigkeit Ihrer elektronischen Geräte verbessern.
|
Artikel |
Produktion |
Forschung |
Dummy |
|
Kristallparameter |
|||
|
Polytype |
4H |
||
|
Oberflächenorientierungsfehler |
4±0.15° |
||
|
Elektrische Parameter |
|||
|
Dopant |
Stickstoff vom Typ N |
||
|
Widerstand |
0,015-0.025OHM · cm |
||
|
Mechanische Parameter |
|||
|
Durchmesser |
150,0 ± 0,2 mm |
||
|
Dicke |
350 ± 25 µm |
||
|
Primäre flache Orientierung |
[1-100]±5° |
||
|
Primäre flache Länge |
47,5 ± 1,5 mm |
||
|
Sekundäre flache |
Keiner |
||
|
Ttv |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
|
LTV |
≤3 μm (5 mm*5 mm) |
≤5 μm (5 mm*5 mm) |
≤10 μm (5 mm*5 mm) |
|
Bogen |
-15 μm ~ 15 μm |
-35 μm ~ 35 μm |
-45 μm ~ 45 μm |
|
Kette |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
|
Front (Si-Face) Rauheit (AFM) |
Ra ≤ 0,2 nm (5 & mgr; m*5 μm) |
||
|
Struktur |
|||
|
Mikropipe -Dichte |
<1 EA/CM2 |
<10 EA/CM2 |
<15 EA/CM2 |
|
Metallverunreinigungen |
≤5E10atoms/cm2 |
N / A |
|
|
BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
N / A |
|
TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
N / A |
|
Frontqualität |
|||
|
Front |
Si |
||
|
Oberflächenbeschaffung |
Si-Face CMP |
||
|
Partikel |
≤60ea/Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) |
N / A |
|
|
Kratzer |
≤5ea/mm. Kumulative Länge ≤ Diameter |
Kumulative Länge ≤ 2*Durchmesser |
N / A |
|
Orangenschale/Pits/Flecken/Streifen/Risse/Kontamination |
Keiner |
N / A |
|
|
Kantenchips/Eingeweide/Fraktur-/Sechskantplatten |
Keiner |
||
|
Polytyperbereiche |
Keiner |
Kumulative Fläche ≤ 2010TP3T |
Kumulative Fläche ≤ 30% |
|
Frontlasermarkierung |
Keiner |
||
|
Rückenqualität |
|||
|
Rückbeschluss |
C-Face CMP |
||
|
Kratzer |
≤5ea/mm, kumulative Länge ≤ 2*Durchmesser |
N / A |
|
|
Rückenfehler (Kantenchips/Eingebiete) |
Keiner |
||
|
Rückenrauheit |
Ra ≤ 0,2 nm (5 & mgr; m*5 μm) |
||
|
Rückmarkierung von Laser |
1 mm (von der Oberkante) |
||
|
Rand |
|||
|
Rand |
Chamfer |
||
|
Packaging |
|||
|
Packaging |
Epi-ready with vacuum packaging Multi-wafer cassette packaging |
||
|
*Notes: “NA” means no request Items not mentioned may refer to SEMI-STD. |
|||