Semicera provides high-quality CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring as well as customized services. Our CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring has excellent quality and performance, they are designed for etching steps to provide stable etching performance and excellent etching results. Semicera looks forward to establishing a long-term partnership with you in China.
CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring is a special component made of Silicon Carbide (SiC) using the Chemical Vapor Deposition (CVD) method. CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring plays a key role in a variety of industrial applications, especially in processes involving material etching. Silicon Carbide is a unique and advanced ceramic material known for its outstanding properties, including high hardness, excellent thermal conductivity and resistance to harsh chemical environments.
The Chemical Vapor Deposition process involves depositing a thin layer of SiC onto a substrate in a controlled environment, resulting in a high-purity and precisely engineered material. CVD Silicon Carbide is known for its uniform and dense microstructure, excellent mechanical strength and enhanced thermal stability.
CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring is made of CVD Silicon Carbide, which not only ensures excellent durability, but also resists chemical corrosion and extreme temperature changes. This makes it ideal for applications where precision, reliability and life are critical.
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Epitaxie -Wachstumssuszeptor
Silizium/Silizium -Carbid -Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/sic -Epitaxie, bei der Silizium/sic -Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Zu den besonderen Vorteilen der Silizium-Carbid-Graphit-Basis von Semicera gehören eine extrem hohe Reinheit, einheitliche Beschichtung und extrem lange Lebensdauer. Sie haben auch hohe chemische Resistenz und thermische Stabilität.
LED -Chipproduktion
Während der umfangreichen Beschichtung des MOCVD -Reaktors bewegt sich die Planetenbasis oder der Träger den Substratwafer. Die Leistung des Grundmaterials hat einen großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was wiederum die Schrottrate des Chips beeinflusst. Die Silizium-Carbid-Basis von Semicera erhöht die Herstellungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert die Wellenlängenabweichung. Wir liefern auch zusätzliche Graphitkomponenten für alle derzeit verwendeten MOCVD -Reaktoren. Wir können fast jede Komponente mit einer Siliziumkarbidbeschichtung beschichten. Auch wenn der Komponentendurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir immer noch mit Siliziumkarbid befehlen.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert das Oxidationserweiterungsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir für die Mehrheit der Silizium -Carbid -Teile kundenspezifische und CVD -Beschichtungsdienste an.
Das folgende Bild zeigt die rau verarbeitete Siliziumkarbidaufschlämmung von Semicea und das in den 100 gereinigte Silizium-Carbid-Ofenrohr0-Ebene staubfrei Zimmer. Unsere Arbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,99% erreichen, und die Reinheit der sic -Beschichtung ist größer als 99,99995%
