CVD Silicon Carbide(SiC) Ring provided by Semicera is an indispensable key component in the complex field of semiconductor manufacturing. It is designed for the etching process and can provide stable and reliable performance for the etching process. This CVD Silicon Carbide(SiC) Ring is made through precision and innovative processes. It is made entirely of chemical vapor deposition silicon carbide (CVD SiC) material and is widely recognized as a representative of excellent performance and enjoys a high reputation in the demanding semiconductor industry. Semicera looks forward to becoming your long-term partner in China.
CVD Silicon Carbide(SiC) Rings offered by Semicera are key components in semiconductor etching, a vital stage in semiconductor device manufacturing. The composition of these CVD Silicon Carbide(SiC) Rings ensures a rugged and durable structure that can withstand the harsh conditions of the etching process. Chemical vapor deposition helps form a high-purity, uniform and dense SiC layer, giving the rings excellent mechanical strength, thermal stability and corrosion resistance.
As a key element in semiconductor manufacturing, CVD Silicon Carbide(SiC) Rings act as a protective barrier to protect the integrity of semiconductor chips. Its precise design ensures uniform and controlled etching, which helps in the manufacture of highly complex semiconductor devices, providing enhanced performance and reliability.
The use of CVD SiC material in the construction of the rings demonstrates a commitment to quality and performance in semiconductor manufacturing. This material has unique properties, including high thermal conductivity, excellent chemical inertness, and wear and corrosion resistance, making CVD Silicon Carbide(SiC) Rings an indispensable component in the pursuit of precision and efficiency in semiconductor etching processes.
Semicera’s CVD Silicon Carbide (SiC) Ring represents an advanced solution in the field of semiconductor manufacturing, using the unique properties of chemical vapor deposited silicon carbide to achieve reliable and high-performance etching processes, promoting the continuous advancement of semiconductor technology. We are committed to providing customers with excellent products and professional technical support to meet the semiconductor industry’s demand for high-quality and efficient etching solutions.
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Epitaxie -Wachstumssuszeptor
Silizium/Silizium -Carbid -Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/sic -Epitaxie, bei der Silizium/sic -Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Zu den besonderen Vorteilen der Silizium-Carbid-Graphit-Basis von Semicera gehören eine extrem hohe Reinheit, einheitliche Beschichtung und extrem lange Lebensdauer. Sie haben auch hohe chemische Resistenz und thermische Stabilität.
LED -Chipproduktion
Während der umfangreichen Beschichtung des MOCVD -Reaktors bewegt sich die Planetenbasis oder der Träger den Substratwafer. Die Leistung des Grundmaterials hat einen großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was wiederum die Schrottrate des Chips beeinflusst. Die Silizium-Carbid-Basis von Semicera erhöht die Herstellungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert die Wellenlängenabweichung. Wir liefern auch zusätzliche Graphitkomponenten für alle derzeit verwendeten MOCVD -Reaktoren. Wir können fast jede Komponente mit einer Siliziumkarbidbeschichtung beschichten. Auch wenn der Komponentendurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir immer noch mit Siliziumkarbid befehlen.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert das Oxidationserweiterungsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir für die Mehrheit der Silizium -Carbid -Teile kundenspezifische und CVD -Beschichtungsdienste an.
Das folgende Bild zeigt die rau verarbeitete Siliziumkarbidaufschlämmung von Semicea und das in den 100 gereinigte Silizium-Carbid-Ofenrohr0-Ebene staubfrei Zimmer. Unsere Arbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,99% erreichen, und die Reinheit der sic -Beschichtung ist größer als 99,99995%.
