Semicera provides high-quality Epitaxy Wafer Carriers designed for Si Epitaxy and SiC Epitaxy processes. Semicera’s products ensure stability and excellent thermal conductivity for various semiconductor applications such as MOCVD Susceptors and Barrel Susceptors. Our products are widely used in the production process of Monocrystalline Silicon with excellent high temperature resistance and material compatibility.
Epitaxy Wafer Carrier is a critical component in semiconductor production, especially in Si Epitaxy and SiC Epitaxy processes. Semicera carefully designs and manufactures Wafer Carriers to withstand extremely high temperatures and chemical environments, ensuring excellent performance in applications such as MOCVD Susceptor and Barrel Susceptor. Whether it is the deposition of monocrystalline silicon or complex epitaxy processes, Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier provides excellent uniformity and stability.
Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier is made of advanced materials with excellent mechanical strength and thermal conductivity, which can effectively reduce losses and instability during the process. In addition, the design of the Wafer Carrier can also adapt to epitaxy equipment of different sizes, thereby improving overall production efficiency.
For customers who require high-precision and high-purity epitaxy processes, Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier is a trustworthy choice. We are always committed to providing customers with excellent product quality and reliable technical support to help improve the reliability and efficiency of production processes.
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Epitaxie -Wachstumssuszeptor
Silizium/Silizium -Carbid -Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/sic -Epitaxie, bei der Silizium/sic -Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Zu den besonderen Vorteilen der Silizium-Carbid-Graphit-Basis von Semicera gehören eine extrem hohe Reinheit, einheitliche Beschichtung und extrem lange Lebensdauer. Sie haben auch hohe chemische Resistenz und thermische Stabilität.
LED -Chipproduktion
Während der umfangreichen Beschichtung des MOCVD -Reaktors bewegt sich die Planetenbasis oder der Träger den Substratwafer. Die Leistung des Grundmaterials hat einen großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was wiederum die Schrottrate des Chips beeinflusst. Die Silizium-Carbid-Basis von Semicera erhöht die Herstellungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert die Wellenlängenabweichung. Wir liefern auch zusätzliche Graphitkomponenten für alle derzeit verwendeten MOCVD -Reaktoren. Wir können fast jede Komponente mit einer Siliziumkarbidbeschichtung beschichten. Auch wenn der Komponentendurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir immer noch mit Siliziumkarbid befehlen.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert das Oxidationserweiterungsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir für die Mehrheit der Silizium -Carbid -Teile kundenspezifische und CVD -Beschichtungsdienste an.
Das folgende Bild zeigt die rau verarbeitete Siliziumkarbidaufschlämmung von Semicea und das in den 100 gereinigte Silizium-Carbid-Ofenrohr0-Ebene staubfrei room. Our workers are working before coating. The purity of our silicon carbide can reach 99.98%, and the purity of sic coating is greater than 99.9995%.
